[发明专利]一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺

说明书

本发明提供一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺，步骤包括：多次对硅片执行酸洗和碱洗，其中，所有碱洗均在酸洗之间进行，且所有碱洗为连续设置。本发明一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺，通过重新设计清洗工艺，并重新调整酸洗及碱洗成份，以彻底将硅片表面的金属离子清洗干净，同时将硅片表面上的机械损伤及其它颗粒杂质也一同去除，以保证硅片表面洁净度可达到65nm颗粒增长量≤60颗，使脏片率降低了0.3％。

技术领域

本发明属于硅片清洗技术领域，尤其是涉及一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺。

背景技术

硅片的清洗效果直接影响着太阳能电池的转换效率，目前单一的碱洗和单一的酸洗，都无法完全去除硅片表面的颗粒杂质和金属离子，无法完全保证硅片表面的洁净度。而且，随着硅片尺寸的增大，按照目前清洗方式，脏片比例上升严重，洁净度较差。

发明内容

本发明提供一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺，解决了现有技术中清洗工艺不合理导致硅片表面的颗粒杂质和金属离子去除不干净的技术问题。

为解决至少一个上述技术问题，本发明采用的技术方案是：

一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺，步骤包括：多次对硅片执行酸洗和碱洗，其中，所有碱洗均在酸洗之间进行，且所有碱洗为连续设置。

进一步的，包括两次酸洗和两次碱洗，且先进行一次酸洗后再进行碱洗。

进一步的，两次酸洗的药液成份不同；

两次碱洗的药液成份相同，且首次碱洗的药液浓度大于二次碱洗的药液浓度。

进一步的，首次酸洗的药液为氢氟酸的稀释溶液，且氢氟酸的质量分数为30-40％；

二次酸洗的药液为盐酸与双氧水的混合溶液，其中，盐酸与双氧水的体积比为1：1；

两次酸洗时间均为230-330s；且酸洗均在室温温度下进行。

进一步的，两次碱洗的药液均为氨水与双氧水的混合溶液；且首次碱洗的药液浓度较二次碱洗的药液浓度大30％。

进一步的，首次碱洗的药液中，氨水与双氧水的体积比为1：2；其中，氨水为质量分数44-46％溶液，双氧水为质量分数30-32％溶液。

进一步的，两次碱洗的清洗时间相同，均为250-350s；碱洗温度均为50-70℃；

且在碱洗过程中还设有超声波震动。

进一步的，在每次酸洗之前以及在每次酸洗之后都执行一次纯水清洗，且清洗时间相同，均为230-350s；清洗温度均为室温。

进一步的，在二次酸洗之后还包括对硅片进行氧化清洗，氧化清洗的药液为臭氧水；

氧化清洗的时间和温度均与每次纯水清洗的时间和温度相同。

进一步的，在氧化清洗之后，还包括依次对硅片执行慢提拉清洗和热烘干，其中，

慢提拉清洗是在温度为40-60℃的纯水中进行清洗，清洗时间为20-40s；

慢提拉清洗之后缓慢将硅片提取出纯水水面，提取时间为100-200s；

热烘干是在温度为45-65℃的烘箱中进行，烘干时间为100-200s。

采用本发明设计的一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺，通过重新设计清洗工艺，并重新调整酸洗及碱洗成份，以彻底将硅片表面的金属离子清洗干净，同时将硅片表面上的机械损伤及其它颗粒杂质也一同去除，以保证硅片表面洁净度可达到65nm颗粒增长量≤60颗，使脏片率降低了0.3％。

附图说明