[发明专利]一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺

权利要求书

1.一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺，其特征在于，步骤包括：多次对硅片执行酸洗和碱洗，其中，所有碱洗均在酸洗之间进行，且所有碱洗为连续设置。

2.根据权利要求1所述的一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺，其特征在于，包括两次酸洗和两次碱洗，且先进行一次酸洗后再进行碱洗。

3.根据权利要求1或2所述的一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺，其特征在于，两次酸洗的药液成份不同；

两次碱洗的药液成份相同，且首次碱洗的药液浓度大于二次碱洗的药液浓度。

4.根据权利要求3所述的一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺，其特征在于，首次酸洗的药液为氢氟酸的稀释溶液，且氢氟酸的质量分数为30-40％；

二次酸洗的药液为盐酸与双氧水的混合溶液，其中，盐酸与双氧水的体积比为1：1；

两次酸洗时间均为230-330s；且酸洗均在室温温度下进行。

5.根据权利要求3所述的一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺，其特征在于，两次碱洗的药液均为氨水与双氧水的混合溶液；且首次碱洗的药液浓度较二次碱洗的药液浓度大30％。

6.根据权利要求4或5所述的一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺，其特征在于，首次碱洗的药液中，氨水与双氧水的体积比为1：2；其中，氨水为质量分数44-46％溶液，双氧水为质量分数30-32％溶液。

7.根据权利要求6所述的一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺，其特征在于，两次碱洗的清洗时间相同，均为250-350s；碱洗温度均为50-70℃；

且在碱洗过程中还设有超声波震动。

8.根据权利要求1-2、4-5、7任一项所述的一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺，其特征在于，在每次酸洗之前以及在每次酸洗之后都执行一次纯水清洗，且清洗时间相同，均为230-350s；清洗温度均为室温。

9.根据权利要求8所述的一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺，其特征在于，在二次酸洗之后还包括对硅片进行氧化清洗，氧化清洗的药液为臭氧水；

氧化清洗的时间和温度均与每次纯水清洗的时间和温度相同。

10.根据权利要求9所述的一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺，其特征在于，在氧化清洗之后，还包括依次对硅片执行慢提拉清洗和热烘干，其中，

慢提拉清洗是在温度为40-60℃的纯水中进行清洗，清洗时间为20-40s；

慢提拉清洗之后缓慢将硅片提取出纯水水面，提取时间为100-200s；

热烘干是在温度为45-65℃的烘箱中进行，烘干时间为100-200s。