[发明专利]提高存储性能有效
| 申请号： | 200510005133.9 | 申请日： | 2005-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1677341A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 弗拉基米尔·彭特科维克西;岑玲;维韦克·加尔格;迪普·布什;戴维·赵 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F9/30 | 分类号： | G06F9/30;G06F12/08 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王怡 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储操作的体系结构，其改善了存储操作延迟，并提高了专有读取(RFO)的吞吐率。本发明的实施例涉及通过实现RFO操作的乱序发射和更有效地使用存储缓冲器延迟周期来改善微处理器的存储性能的方法和装置。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 存储 性能 | ||
【主权项】：
1.一种处理器，包括：用于存储数据的第一存储单元；和耦合到所述第一存储单元的第二存储单元，用于仅在所述数据变为可被总线代理检测到后存储所述数据。
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