[发明专利]减少在备用状态的功率耗散的半导体器件

摘要

一种减少在备用状态功率耗散的半导体器件，具有设置在半导体器件各内部电路中预定电压的电源线还具有设置在该内部电路中的地电压的地线其包括设置在电源线和次级电路块之间至少一部分的第１ＭＯＳ晶体管，电路块由内部电路中同一定时，处在备用状态和工作状态的多个电路构成，或者由地线和次级电路块构成，当次级电路块处在备用状态时，通过控制衬底电压，使第１ＭＯＳ晶体管关断，增加其阈值电压，以便减少其亚阈值电流。

主权项

1、一种减少备用状态功率耗散的半导体器件，具有向所述半导体器件的全部内部电路提供预定电源电压的电源线，还具有向所述内部电路提供地电压的地线，其特征是所述半导体器件包括：设置在所述电源线和次级电路块之间的至少一部分的第1MOS晶体管，它由在同一定时处在备用状态和工作状态的多个电路构成，或者由所述地线和所述次级电路块构成，当所述次级电路块处于备用状态时，通过控制衬底电压使所述第1MOS晶体管关断并增加它的阈值电压，以便减少它的亚阈值电流。