[发明专利]一种延长功率晶体管寿命的工艺无效
| 申请号： | 89106832.5 | 申请日： | 1989-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN1011003B | 公开（公告）日： | 1990-12-26 |
| 发明（设计）人： | 田淑芬;薛成山;樊锡君;庄惠照 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 山东省高等院校专利事务所 | 代理人： | 崔日新,刘国涛 |
| 地址： | 250014 *** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种延长功率晶体管寿命的工艺。本发明涉及功率晶体管集电极欧姆接触形成工艺。本发明针对已有工艺中管芯背部金属化时，上粘附层金属与硅芯片低温下不能形成金属硅化物的缺点。本发明集电极上粘附层采用金属铌(Nb)，并在溅射装置中低温(100-300℃)下形成Nb-Si化合物，加强了上粘附层与芯片的粘附力，从而提高了功率晶体管的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 延长 功率 晶体管 寿命 工艺 | ||
【主权项】：
1一种延长功率晶体管寿命的工艺，是在管芯完成前工序后，进行背部金属化时上粘附层3采用了金属铌，然后完成后工序，其特征在于，用溅射的方法溅射Nb，在溅射装置中100℃-300℃条件下Nb与硅芯片形成Nb-Si化合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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