[发明专利]一种延长功率晶体管寿命的工艺无效
| 申请号： | 89106832.5 | 申请日： | 1989-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN1011003B | 公开（公告）日： | 1990-12-26 |
| 发明（设计）人： | 田淑芬;薛成山;樊锡君;庄惠照 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 山东省高等院校专利事务所 | 代理人： | 崔日新,刘国涛 |
| 地址： | 250014 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 延长 功率 晶体管 寿命 工艺 | ||
【权利要求书】：
1、一种延长功率晶体管寿命的工艺，是在管芯完成前工序后，进行背部金属化时上粘附层3采用了金属铌，然后完成后工序，其特征在于，用溅射的方法溅射Nb，在溅射装置中100℃-300℃条件下Nb与硅芯片形成Nb-Si化合物。
2、据权利要求1所述工艺，其特征在于，上粘附层3的厚度为100-500埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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