[实用新型]一种超低寄生电感SiC半桥功率模块有效
| 申请号： | 202222323843.8 | 申请日： | 2022-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN218867108U | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 尚海;梁琳;颜辉;邵凌翔 | 申请（专利权）人： | 常州瑞华新能源科技有限公司;华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/16;H01L23/492;H02M1/08;H02M1/00 |
| 代理公司： | 南京勤行知识产权代理事务所(普通合伙) 32397 | 代理人： | 尹英 |
| 地址： | 213200 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型属于电子电力器件技术领域，更具体地，涉及一种超低寄生电感SiC半桥功率模块，两只SiC MOSFET芯片分别为芯片一和芯片二，两片芯片平行且上下竖直设置，两片所述芯片之间通过缓冲层连接，所述DBC板包括上DBC板和下DBC板，所述芯片一与上DBC板连接，所述芯片二与所述下DBC板连接，所述上DBC板与所述下DBC板之间连接有解耦电容，本实用新型通过变更两只芯片的空间位置、缩短回路长度、取消键合线的设置、集成解耦电容等措施来消除寄生电感或者降低寄生电感产生的不利影响，实现半桥模块的高度集成，提升功率模块的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 寄生 电感 sic 功率 模块 | ||
【主权项】：
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