[实用新型]一种超低寄生电感SiC半桥功率模块

权利要求书

1.一种超低寄生电感SiC半桥功率模块，包括两只SiC MOSFET芯片和DBC板，其特征在于：两只SiC MOSFET芯片分别为芯片一和芯片二，两片芯片平行且上下竖直设置，两片所述芯片之间通过缓冲层连接，所述DBC板包括上DBC板和下DBC板，所述芯片一与上DBC板连接，所述芯片二与所述下DBC板连接，所述上DBC板与所述下DBC板之间连接有解耦电容。

2.根据权利要求1所述的一种超低寄生电感SiC半桥功率模块，其特征在于：所述解耦电容的两端分别与母线的正极和负极连接。

3.根据权利要求2所述的一种超低寄生电感SiC半桥功率模块，其特征在于：所述上DBC板和下DBC板均为覆铜陶瓷板，所述上DBC板包括上DBC板上铜层、上DBC板中间绝缘层和上DBC板下铜层，所述下DBC板包括下DBC板上铜层、下DBC板中间绝缘层和下DBC板下铜层，所述上DBC板中间绝缘层和下DBC板中间绝缘层的材质为氮化铝、氧化铝、氮化硅中的一种。

4.根据权利要求3所述的一种超低寄生电感SiC半桥功率模块，其特征在于：所述芯片一的漏极通过连接片一连接到上DBC板的上铜层与交流侧电极连接。

5.根据权利要求4所述的一种超低寄生电感SiC半桥功率模块，其特征在于：所述上DBC板和所述下DBC板的外表面分别连接有散热器。

6.根据权利要求5所述的一种超低寄生电感SiC半桥功率模块，其特征在于：所述芯片二的栅极连接有连接片二，所述连接片二的另一端连接到下DBC板上铜层。

7.根据权利要求5所述的一种超低寄生电感SiC半桥功率模块，其特征在于：所述芯片二的源极连接有开尔文源极连接片，所述开尔文源极连接片的另一端与所述下DBC板上铜层连接。

8.根据权利要求5所述的一种超低寄生电感SiC半桥功率模块，其特征在于：所述芯片一的栅极通过焊料直接与所述上DBC板上铜层连接。

9.根据权利要求5所述的一种超低寄生电感SiC半桥功率模块，其特征在于：所述芯片一的源极通过焊料直接与上DBC板上铜层连接，引出源极和开尔文电极。

10.根据权利要求5所述的一种超低寄生电感SiC半桥功率模块，其特征在于：所述缓冲层的材质选用钼或者铜。