[实用新型]一种提高GaN芯片可靠性的封装结构有效
| 申请号： | 202220446989.9 | 申请日： | 2022-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN216849927U | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 廖弘昌;钱进;刘振东;田亚南;陈晓林 | 申请（专利权）人： | 日月新半导体(威海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/367;H01L23/40 |
| 代理公司： | 青岛致嘉知识产权代理事务所(普通合伙) 37236 | 代理人： | 吴杉 |
| 地址： | 264200 山东省威海市经*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种提高GaN芯片可靠性的封装结构，包括基板，所述基板的顶部分别固定连接有粘连层和引脚板，所述粘连层的顶部固定粘连有芯片，所述芯片的顶部固定粘连有导热层，所述导热层的顶部固定粘连有绝缘层，所述绝缘层的顶部固定粘连有导热板，所述基板的顶部固定连接有壳体，所述壳体的顶部固定连接有封盖，所述导热板的顶部与封盖的底部活动连接，所述封盖的顶部贯穿设置有固定螺栓，所述固定螺栓的底部贯穿至导热板内。本实用具备散热效果好的优点，解决了GaN芯片封装结构在长时间工作时，对GaN芯片的散热效果和防护效果较差，降低了GaN芯片使用的可靠性，容易导致GaN芯片产生的热量堆积在封装结构内的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 gan 芯片 可靠性 封装 结构 | ||
【主权项】：
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