[实用新型]一种提高GaN芯片可靠性的封装结构有效

专利信息
申请号: 202220446989.9 申请日: 2022-03-02
公开(公告)号: CN216849927U 公开(公告)日: 2022-06-28
发明(设计)人: 廖弘昌;钱进;刘振东;田亚南;陈晓林 申请(专利权)人: 日月新半导体(威海)有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/367;H01L23/40
代理公司: 青岛致嘉知识产权代理事务所(普通合伙) 37236 代理人: 吴杉
地址: 264200 山东省威海市经*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 gan 芯片 可靠性 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种提高GaN芯片可靠性的封装结构,包括基板(1),其特征在于:所述基板(1)的顶部分别固定连接有粘连层(16)和引脚板(11),所述粘连层(16)的顶部固定粘连有芯片(12),所述芯片(12)的顶部固定粘连有导热层(15),所述导热层(15)的顶部固定粘连有绝缘层(14),所述绝缘层(14)的顶部固定粘连有导热板(13);

所述基板(1)的顶部固定连接有壳体(6),所述壳体(6)的顶部固定连接有封盖(2),所述导热板(13)的顶部与封盖(2)的底部活动连接,所述封盖(2)的顶部贯穿设置有固定螺栓(8),所述固定螺栓(8)的底部贯穿至导热板(13)内,所述封盖(2)的顶部固定连接有散热片(3)。

2.根据权利要求1所述的一种提高GaN芯片可靠性的封装结构,其特征在于:所述引脚板(11)的左右两侧均焊接有引脚(7),所述引脚(7)远离引脚板(11)的一端贯穿至壳体(6)的外表面。

3.根据权利要求1所述的一种提高GaN芯片可靠性的封装结构,其特征在于:所述引脚板(11)的顶部固定连接有限位件(17),所述芯片(12)的外表面与限位件(17)的内壁活动连接。

4.根据权利要求1所述的一种提高GaN芯片可靠性的封装结构,其特征在于:所述芯片(12)的顶部设置有第一连接脚(9),所述引脚板(11)的顶部设置有第二连接脚(10),所述第一连接脚(9)与第二连接脚(10)通过金属引线电性连接。

5.根据权利要求1所述的一种提高GaN芯片可靠性的封装结构,其特征在于:所述封盖(2)和散热片(3)相对的一侧设置有导热硅脂,所述散热片(3)的左右两侧均焊接有安装件(5),所述安装件(5)的顶部贯穿设置有安装螺栓(4),所述安装螺栓(4)的底部贯穿至封盖(2)内。

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