[发明专利]DPT功率器件制造工艺在审
| 申请号： | 202211308109.2 | 申请日： | 2022-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN116013774A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 王宇澄 | 申请（专利权）人： | 广州正华芯微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/43 |
| 代理公司： | 无锡科嘉知信专利代理事务所(普通合伙) 32515 | 代理人： | 顾翰林 |
| 地址： | 510000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了DPT功率器件制造工艺；包括有以下步骤：S1、N型外延层上腐蚀出深沟槽；S2、在深沟槽内生长或淀积氧化层；S3、在深沟槽内淀积导电多晶硅；S4、腐蚀导电多晶硅；S5、在N型外延层上腐蚀出浅沟槽；S6、在浅沟槽内生长氧化层；S7、在浅沟槽内淀积导电多晶硅；S8、腐蚀N型外延层表面的氧化层；S9、在N型外延层形成p‑body区；S10、在N型外延层表面淀积绝缘介质层；S11、通过光刻工艺进行涂胶曝光，后进行腐蚀；S12、在N型外延层上依次淀积Ti+TiN；S13、在TiN上形成正面金属，在衬底下形成背面金属；本发明深沟槽用作器件漂移区提高耐压水平，缩小单元尺寸，改善器件参数，使用TiSi化合物提供电子，简化了工艺，降低了器件导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | dpt 功率 器件 制造 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
