[发明专利]DPT功率器件制造工艺

权利要求书

1.DPT功率器件制造工艺，其特征在于：包括有以下步骤：

S1、提供N型衬底(2)，并在N型衬底(2)上做出N型外延层(3)，然后在N型外延层(3)上腐蚀出深沟槽(4)；

S2、在深沟槽(4)内生长或淀积氧化层(5)，成分为氧化硅；

S3、在深沟槽(4)内淀积导电多晶硅(10)；

S4、采用CMP或者腐蚀的方法将氧化层(5)表面的多余导电多晶硅(10)去除；

S5、在N型外延层(3)上腐蚀出浅沟槽(7)，浅沟槽(7)位于两个深沟槽(4)中间；

S6、在浅沟槽(7)内生长氧化层(5)，成分为氧化硅；

S7、在浅沟槽(7)内淀积导电多晶硅(10)；

S8、用CMP或者腐蚀的方法将N型外延层(3)表面的氧化层(5)，导电多晶硅(10)去除；

S9、在N型外延层(3)上注入p型杂质离子，形成p-body区(6)；

S10、在N型外延层(3)表面淀积一层绝缘介质层(11)；

S11、通过光刻工艺，对无光刻胶阻挡的绝缘介质层(11)进行腐蚀，去除N型外延层(3)顶部绝缘介质层(11)，并进一步往下腐蚀，去除部分厚氧化层(5)、导电多晶硅(10)和N型外延层(3)，腐蚀完成后去除顶部光刻胶；

S12、在N型外延层(3)上依次淀积Ti(12)+TiN(13)；

S13、在TiN(13)上形成正面金属(9)，在衬底(2)下形成背面金属(1)。

2.根据权利要求1所述的DPT功率器件制造工艺，其特征在于：所述S1中的腐蚀采用的是湿法腐蚀工艺或者是干法腐蚀工艺，所述腐蚀采用的是等离子刻蚀设备，所述等离子刻蚀设备包括有单片式和批处理式处理硅片。

3.根据权利要求1所述的DPT功率器件制造工艺，其特征在于：所述S3中的导电多晶硅(10)采用导电金属材料进行替换使用，所述导电多晶硅(10)的淀积采用的是化学气相淀积，所述化学气相淀积在使用的时候采用等离子体辅助。

4.根据权利要求1所述的DPT功率器件制造工艺，其特征在于：所述S4中的CMP是通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合设备，所述CMP通过抛光盘带动抛光垫旋转实现对晶圆进行抛光，通过先进的终点检测对不同材质和厚度的磨蹭实现3—10nm分辨率的实时厚度测量，使得晶圆的表面粗糙度小于0.5nm。

5.根据权利要求1所述的DPT功率器件制造工艺，其特征在于：所述S11中的光刻工艺步骤如下：

首先，在绝缘介质层(11)覆上一层光刻胶；使特定的光波穿过光掩膜照射在光刻胶上，对光刻胶进行选择性曝光；

然后，使用显影液溶解掉被照射的区域，这样，光掩模上的图形就呈现在光刻胶上；

再次，进行选择性的刻蚀过程，未被溶解的光刻胶将保护衬底在这些过程中不被改变；

最后，将光刻胶去除，以方便进行半导体器件制造的其他步骤。

6.根据权利要求5所述的DPT功率器件制造工艺，其特征在于：所述光刻胶在曝光后被特定溶液溶解，所述曝光采用的是紫外线，所述特定溶液采用的是显影液，所述光刻胶在进行曝光后还将通过烘干措施，改善剩余部分所述光刻胶的性质，所述光刻胶包括有正光刻胶和负光刻胶两种。

7.根据权利要求1所述的DPT功率器件制造工艺，其特征在于：所述S12中TiN(13)作为Ti(12)和所述正面金属(9)的缓冲层次，所述Ti(12)在经过热过程退火后，与相接触的所述导电多晶硅(10)反应形成TiSi化合物层(8)，所述TiSi化合物层(8)是所述深沟槽(4)和所述浅沟槽(7)的顶部侧壁开出小口，填入Ti+TiN金属。

8.根据权利要求7所述的DPT功率器件制造工艺，其特征在于：所述p-body区(6)的上端均设有所述绝缘介质层(11)，所述绝缘介质层(11)处于所述TiSi化合物层(8)和所述p-body区(6)之间，所述绝缘介质层(11)处于所述浅沟槽(7)的上端，所述绝缘介质层(11)与Ti+TiN金属不反应生成所述TiSi化合物层(8)。