[发明专利]半导体装置、功率模块及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210065866.5 | 申请日： | 2022-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN114792671A | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 中田洋辅;佐藤祐司;横山吉典 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 得到能够容易地提高绝缘耐量的半导体装置、功率模块及半导体装置的制造方法。第2导体板(2)与第1导体板(1)分离。多个半导体元件(3)的背面电极与第1导体板连接。中继基板(7)设置于第2导体板之上。中继基板(7)具有多个第1中继焊盘(10)和与多个第1中继焊盘连接的第2中继焊盘(11)。多个半导体元件的控制电极(4)与多个第1中继焊盘分别连接。第1导体块(13)与多个半导体元件(3)的表面电极(5)连接。第2导体块(14)与第2中继焊盘(11)连接。第1导体板(1)从封装材料(15)的第1主面(S1)露出。第2导体板(2)不从第1主面(S1)露出。第1及第2导体块(14)从第2主面(S2)露出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 功率 模块 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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