[发明专利]半导体装置、功率模块及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第1导体板；

第2导体板，其与所述第1导体板分离；

多个半导体元件，其背面电极与所述第1导体板连接；

中继基板，其设置于所述第2导体板之上，该中继基板具有多个第1中继焊盘和与所述多个第1中继焊盘连接的第2中继焊盘；

多个金属导线，其将所述多个半导体元件的控制电极与所述多个第1中继焊盘分别连接；

第1导体块，其与所述多个半导体元件的表面电极连接；

第2导体块，其与所述第2中继焊盘连接；以及

封装材料，其将所述第1导体板及第2导体板、所述多个半导体元件、所述中继基板、所述金属导线、所述第1导体块及第2导体块封装，

所述封装材料具有彼此相对的第1主面及第2主面，

所述第1导体板从所述第1主面露出，

所述第2导体板不从所述第1主面露出，

所述第1导体块及第2导体块从所述第2主面露出。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述背面电极是漏极电极，所述表面电极是源极电极。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第2导体板的下方，在所述封装材料的所述第1主面设置有凹陷部。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

还具有源极导体块，该源极导体块与所述第2导体板连接，该源极导体块从所述封装材料的所述第2主面露出。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件由宽带隙半导体形成。

6.一种功率模块，其特征在于，具有：

第1半导体装置及第2半导体装置，它们是权利要求1至5中任一项所述的半导体装置；

第1电路图案，其与所述第1半导体装置的所述第1导体板连接；

第2电路图案，其与所述第1半导体装置的所述第1导体块和所述第2半导体装置的所述第1导体板连接；

第3电路图案，其与所述第2半导体装置的所述第1导体块连接；以及

周边封装材料，其将所述第1半导体装置及第2半导体装置、所述第1电路图案、第2电路图案及第3电路图案封装。

7.根据权利要求6所述的功率模块，其特征在于，

与所述第2半导体装置的从所述封装材料的侧面露出的所述第2导体板的露出面相对地，在所述第2电路图案设置有切口部。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

在第1导体板安装多个半导体元件，将所述多个半导体元件的背面电极与所述第1导体板连接；

在与所述第1导体板分离的第2导体板安装中继基板，该中继基板具有多个第1中继焊盘和与所述多个第1中继焊盘连接的第2中继焊盘；

在所述多个半导体元件的表面电极连接第1导体块；

在所述第2中继焊盘连接第2导体块；

将所述多个半导体元件的控制电极与所述多个第1中继焊盘分别通过多个金属导线而连接；以及

通过封装材料将所述第1导体板及第2导体板、所述多个半导体元件、所述中继基板、所述金属导线、所述第1导体块及第2导体块封装，

所述封装材料具有彼此相对的第1主面及第2主面，

使所述第1导体板从所述封装材料的所述第1主面露出，使所述第2导体板不从所述第1主面露出，使所述第1导体块及第2导体块从所述第2主面露出。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在通过所述封装材料进行封装之前，所述第1导体板和所述第2导体板与框架一体化，

在通过所述封装材料进行封装之后，将所述第1导体板和所述第2导体板从所述框架切断。