[实用新型]功率MOS器件有效
| 申请号： | 202121470514.5 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN215118911U | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 覃源;高盼盼 | 申请（专利权）人： | 上海矽普半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海十蕙一兰知识产权代理有限公司 31331 | 代理人： | 刘秋兰 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种功率MOS器件。一种功率MOS器件，包括：一外延层；和至少一有源区沟槽，位于外延层上；有源区沟槽内具有：一栅极多晶硅，位于有源区沟槽内；一栅极氧化物介质层，位于栅极多晶硅与有源区沟槽之间；栅极多晶硅的上部具有一凸起部，栅极多晶硅的的凸起部伸出于有源区沟槽。本实用新型由于栅极多晶硅的凸起部伸出于有源区沟槽，使得刻蚀时的多晶硅消耗量极小，最终器件的沟道长度为沟槽的实际深度，栅极多晶硅的凸起部可以作为回蚀时的工艺窗口，留出一部分的容错量，沟道长度不受多晶硅回蚀量影响，从而减小器件阈值电压值波动。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mos 器件 | ||
【主权项】：
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