[实用新型]功率MOS器件有效
| 申请号： | 202121470514.5 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN215118911U | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 覃源;高盼盼 | 申请（专利权）人： | 上海矽普半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海十蕙一兰知识产权代理有限公司 31331 | 代理人： | 刘秋兰 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 mos 器件 | ||
1.一种功率MOS器件，包括：一外延层；和至少一有源区沟槽，位于所述外延层上；
所述有源区沟槽内具有：
一栅极多晶硅，位于所述有源区沟槽内；
一栅极氧化物介质层，位于所述栅极多晶硅与所述有源区沟槽之间；
其特征在于，所述栅极多晶硅的上部具有一凸起部，所述栅极多晶硅的凸起部伸出于所述有源区沟槽。
2.如权利要求1所述的功率MOS器件，其特征在于，所述功率MOS器件还包括：
至少两个氧化物垫片，位于所述有源区沟槽外且设置在所述栅极多晶硅的凸起部两侧侧壁外。
3.如权利要求1所述的功率MOS器件，其特征在于，所述有源区沟槽的中心深度：所述栅极多晶硅的凸起部为100：+5～30。
4.如权利要求3所述的功率MOS器件，其特征在于，所述有源区沟槽的中心深度：所述栅极多晶硅的凸起部为100：+10～20。
5.如权利要求2所述的功率MOS器件，其特征在于，所述氧化物垫片的顶面与所述栅极多晶硅顶面齐平。
6.如权利要求2所述的功率MOS器件，其特征在于，所述氧化物垫片采用多面体结构，所述氧化物垫片中的一个面连接所述栅极多晶硅的凸起部侧壁，相邻的另一个面连接所述有源区沟槽顶部外侧的平面。
7.如权利要求1至6中任意一项所述的功率MOS器件，其特征在于，所述功率MOS器件还包括：
一体区，位于所述外延层上方；
一源区，位于所述体区上方；
所述有源区沟槽从上往下依次贯穿所述源区和所述体区并延伸入所述外延层，所述栅极多晶硅的凸起部高于所述源区高度，由所述氧化物垫片将所述栅极多晶硅和所述源区隔开。
8.如权利要求7所述的功率MOS器件，其特征在于，所述氧化物垫片中的一个面连接所述栅极多晶硅的凸起部侧壁，相邻的另一个面连接所述源区顶面。
9.如权利要求7所述的功率MOS器件，其特征在于，所述功率MOS器件还包括：
一介质隔离层，位于所述源区和所述栅极多晶硅上方；
一金属电极，位于所述介质隔离层上方，所述金属电极与所述源区由所述介质隔离层隔开；
一连接孔，上端连接所述金属电极，下端贯穿所述介质隔离层延伸入所述源区；
一连接孔注入区，上端连接所述连接孔，下端穿过所述源区后连接所述体区。
10.如权利要求9所述的功率MOS器件，其特征在于，所述氧化物垫片采用纵截面为扇形的扇形体结构，所述氧化物垫片的一侧平面连接所述栅极多晶硅凸起部侧壁的外侧，所述氧化物垫片的另一侧平面连接所述源区顶面，所述氧化物垫片的弧形面连接所述介质隔离层。
11.如权利要求7所述的功率MOS器件，其特征在于，所述外延层为第一掺杂类型，所述体区为第二掺杂类型，所述源区为第一掺杂类型，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反。
12.如权利要求11所述的功率MOS器件，其特征在于，所述体区为P型掺杂类型的P型掺杂区，所述源区为N型掺杂类型的N型掺杂区。
13.如权利要求11所述的功率MOS器件，其特征在于，所述功率MOS器件为低压小功率MOSFET器件。
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