[实用新型]一种能够提高晶圆刻蚀均匀性的刻蚀机台有效
申请号: | 202121113086.0 | 申请日: | 2021-05-24 |
公开(公告)号: | CN214956778U | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 陈壮云;刘金军;刘站站;张磊;穆亚琦;穆小东 | 申请(专利权)人: | 常州阿普智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/027 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213001 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种能够提高晶圆刻蚀均匀性的刻蚀机台,本实用新型涉及刻蚀机技术领域,槽体的内侧壁上开设有一号导向槽,一号导向槽的内部活动嵌设有转动环;转动环的外侧壁上开设有环形槽,转动环的内侧壁上等圆角固定设置有数个二号气嘴,数个二号气嘴分别与相对应位置上的导气孔相连通设置;槽体的外侧壁底部通过电机支架固定设置有气泵;一号电机的输出轴穿过槽体后,与一号齿轮的中部固定连接,一号齿轮的下侧与一号齿环相啮合设置;齿轮箱顶面上活动嵌设有调节块,调节块的顶面固定设置有支撑台;能够有效的防止反应气体在晶圆边缘聚集的现象发生,使得晶圆的边缘区域刻蚀更加均匀,提高了产品的生产质量,实用性更强。 | ||
搜索关键词: | 一种 能够 提高 刻蚀 均匀 机台 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州阿普智能科技有限公司,未经常州阿普智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202121113086.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种应用于道路交通安全用的新型仿生机器人
- 下一篇:一种快速组装的暖通管道
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造