[实用新型]一种能够提高晶圆刻蚀均匀性的刻蚀机台有效
申请号: | 202121113086.0 | 申请日: | 2021-05-24 |
公开(公告)号: | CN214956778U | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 陈壮云;刘金军;刘站站;张磊;穆亚琦;穆小东 | 申请(专利权)人: | 常州阿普智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/027 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213001 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 能够 提高 刻蚀 均匀 机台 | ||
一种能够提高晶圆刻蚀均匀性的刻蚀机台,本实用新型涉及刻蚀机技术领域,槽体的内侧壁上开设有一号导向槽,一号导向槽的内部活动嵌设有转动环;转动环的外侧壁上开设有环形槽,转动环的内侧壁上等圆角固定设置有数个二号气嘴,数个二号气嘴分别与相对应位置上的导气孔相连通设置;槽体的外侧壁底部通过电机支架固定设置有气泵;一号电机的输出轴穿过槽体后,与一号齿轮的中部固定连接,一号齿轮的下侧与一号齿环相啮合设置;齿轮箱顶面上活动嵌设有调节块,调节块的顶面固定设置有支撑台;能够有效的防止反应气体在晶圆边缘聚集的现象发生,使得晶圆的边缘区域刻蚀更加均匀,提高了产品的生产质量,实用性更强。
技术领域
本实用新型涉及刻蚀机技术领域,具体涉及一种能够提高晶圆刻蚀均匀性的刻蚀机台。
背景技术
刻蚀工艺是晶圆制程工艺中的一个重要步骤,干式蚀刻是目前最常用的蚀刻方式,其以气体为主要的蚀刻媒介,由电浆来驱动反应;蚀刻是将表面某种不需要的材质部分移除;现有晶圆刻蚀工艺中,刻蚀机台包括:气体传送装置及腔室,所述气体传送装置设于所述腔室内并位于腔室内放置的晶圆的上方,用于向晶圆表面喷射刻蚀晶圆需要的反应气体;但是现有刻蚀机台存在晶圆的边缘区域相较于中心区域反应气体聚集得更多的现象,导致晶圆的边缘区域相较于中心区域刻蚀不均匀的缺陷。
实用新型内容
本实用新型的目的在于针对现有技术的缺陷和不足,提供一种设计合理的能够提高晶圆刻蚀均匀性的刻蚀机台,能够有效的防止反应气体在晶圆边缘聚集的现象发生,使得晶圆的边缘区域刻蚀更加均匀,提高了产品的生产质量,实用性更强。
为达到上述目的,本实用新型采用了下列技术方案:它包含槽体、上盖、凸缘和液压推杆;槽体为上侧开口的中空结构,槽体上侧的开口端上罩设有上盖,槽体的四周壁上以及上盖的四周壁上均固定设置有凸缘,槽体的左右两侧对称设置有液压推杆,液压推杆的上下两端分别固定设置在上下两侧的凸缘相对面上;上盖的底面上固定设置有一号气嘴,二号气嘴的上端固定连接有总管,总管穿过上盖的中部后,与外部供气机构连接;它还包含转动环、一号电机、二号电机、一号齿环、二号齿环、调节块、支撑台、一号齿轮和二号齿轮;槽体的内侧壁上开设有一号导向槽,一号导向槽的内部活动嵌设有转动环,转动环的截面呈十字形设置;转动环的外侧壁上开设有环形槽,转动环的内侧壁上等圆角开设有数个导气孔,数个导气孔均与环形槽的内部相连通设置,转动环的内侧壁上等圆角固定设置有数个二号气嘴,数个二号气嘴分别与相对应位置上的导气孔相连通设置;槽体的外侧壁底部通过电机支架固定设置有气泵,气泵的输入端上固定连接有进气管,进气管的另一端穿过槽体的侧壁后,与槽体的内底部相连通设置;气泵的输出端上固定设置有排气管,排气管的另一端固定穿过槽体的侧壁后,与环形槽的内部相连通设置;转动环的顶面上固定设置有一号齿环,槽体的左侧壁上通过电机支架固定设置有一号电机,一号电机的输出轴穿过槽体后,与一号齿轮的中部固定连接,一号齿轮的下侧与一号齿环相啮合设置;槽体的内底面上固定设置有齿轮箱,齿轮箱顶面上活动嵌设有调节块,调节块的顶面固定设置有支撑台,调节块伸设在齿轮箱内部的外侧壁上固定设置有二号齿环,二号齿环的一侧相啮合设置有二号齿轮,齿轮箱的内底面上通过电机支架固定设置有二号电机,二号电机的输出轴与二号齿轮的中部固定连接;所述的一号电机、气泵和二号电机均与外部电源连接。
优选地,所述的齿轮箱顶面的开口端内侧壁上开设有二号导向槽,调节块的外侧壁上固定设置有导向环,导向环滑动嵌设在二号导向槽的内部。
优选地,所述的一号导向槽与转动环的连接部位均固定设置有密封圈,密封圈的内侧壁与转动环的侧壁相活动抵触设置。
优选地,所述的调节块底面的前侧固定设置有安装板,安装板的左右两侧壁上均固定设置有按压开关,按压开关与二号电机连接,二号齿环前后两侧的齿轮箱内顶面的前后两侧对称垂直固定设置有安装杆,安装杆的端头上固定设置有拨动板,拨动板与按压开关的位置相配合设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造