[发明专利]直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法有效
| 申请号： | 202111639258.2 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114369866B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 丁亚国;李玲玲;梁万亮;马国忠;顾燕滨 | 申请（专利权）人： | 宁夏申和新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105 | 代理人： | 孙彦虎 |
| 地址： | 750000 宁夏回*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明提供一种直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法，属于提高拉晶速率工艺的技术领域，包括：导流筒、水冷屏，所述导流筒位于所述水冷屏的下方，所述水冷屏的内侧壁设置有凹坑，单晶炉加热器位于炉体底部，布设于坩埚底部或侧壁上，单晶硅拉制过程中，加热器的温度自加热炉底部向上折射，本发明在所述水冷屏的内侧壁设置凹坑，通过凹坑能够增加水冷屏的热折射方向，使得热折射向上，减少热折射直接折射在晶棒上，利于晶棒的降温，且所述凹坑有利于增大水冷屏散热面积，且增加了水冷屏的吸热效率，提高加热炉腔内散热效率，进而使得单晶棒拉制的过程中拉速提高，进而拉制单晶棒的产率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 直拉单晶炉热屏 装置 提高 速率 方法 | ||
【主权项】：
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