[发明专利]直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法

说明书

本发明提供一种直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法，属于提高拉晶速率工艺的技术领域，包括：导流筒、水冷屏，所述导流筒位于所述水冷屏的下方，所述水冷屏的内侧壁设置有凹坑，单晶炉加热器位于炉体底部，布设于坩埚底部或侧壁上，单晶硅拉制过程中，加热器的温度自加热炉底部向上折射，本发明在所述水冷屏的内侧壁设置凹坑，通过凹坑能够增加水冷屏的热折射方向，使得热折射向上，减少热折射直接折射在晶棒上，利于晶棒的降温，且所述凹坑有利于增大水冷屏散热面积，且增加了水冷屏的吸热效率，提高加热炉腔内散热效率，进而使得单晶棒拉制的过程中拉速提高，进而拉制单晶棒的产率提高。

技术领域

本发明涉及提高拉晶速率工艺技术领域，具体涉及一种直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法。

背景技术

直拉单晶炉中设置有热屏装置，用于单晶炉内制造均匀的热场，现有技术中的热屏表面外壁光滑，单晶硅拉制过程中热屏产生的热折射是定向的，不利于加热炉腔内散热降温，导致拉晶速率不高。

发明内容

有鉴于此，针对上述不足，有必要提出一种提高拉晶速率的直拉单晶炉热屏装置

还有必要提出一种提高拉晶速率的方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种直拉单晶炉热屏装置，包括：导流筒、水冷屏，所述导流筒位于所述水冷屏的下方，所述水冷屏的内侧壁设置有凹坑，以提高晶棒的拉速。

优选地，所述凹坑均匀分布在所述水冷屏的内侧壁上。

优选地，所述凹坑为圆形。

优选地，所述凹坑为椭圆形。

优选地，所述水冷屏为上下开口的筒状，所述水冷屏的开口上大下小。

优选地，所述水冷屏的下端设置圆环形护套，所述圆环形护套由石墨做成，所述圆环形护套与所述水冷屏的下端连接。

优选地，所述水冷屏的外侧壁两端相对设置固定杆。

优选地，所述水冷屏为不锈钢材质。

优选地，所述水冷屏表面涂覆有涂层。

一种提高拉晶速率的方法，利用如上所述直拉单晶炉热屏装置实现，具体步骤如下：

步骤一：将导流筒安装在单晶炉的内壁上，再将水冷屏设置在导流筒的上方，且所述水冷屏的一端与单晶炉的内壁连接；

步骤二：将晶棒以1.8mm/min-2.0mm/min的拉速从单晶炉内拉出。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

单晶炉加热器位于炉体底部，布设于坩埚底部或侧壁上，单晶硅拉制过程中，加热器的温度自加热炉底部向上折射，本发明在所述水冷屏的内侧壁设置凹坑，通过凹坑能够增加水冷屏的热折射方向，使得热折射向上，减少热折射直接折射在晶棒上，利于晶棒的降温，且所述凹坑有利于增大水冷屏散热面积，且增加了水冷屏的吸热效率，提高加热炉腔内散热效率，进而使得单晶棒拉制的过程中拉速提高，进而拉制单晶棒的产率提高。

附图说明

图1为水冷屏的结构示意图。

图2为单晶炉的剖视图。

图中：导流筒100、水冷屏200、凹坑210、圆环形护套220、固定杆230。

具体实施方式

以下结合本发明的附图，对本发明实施例的技术方案以及技术效果做进一步的详细阐述。