[发明专利]大尺寸钼溅射靶材及采用化学气相沉积法的制备工艺在审

专利信息
申请号: 202111621882.X 申请日: 2021-12-28
公开(公告)号: CN114318256A 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 徐从康;马赛;贺涛;陈箫箫 申请(专利权)人: 亚芯半导体材料(江苏)有限公司;亚芯电子科技(常州)有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C16/14
代理公司: 常州市权航专利代理有限公司 32280 代理人: 周洁
地址: 213000 江苏省常州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于钼溅射靶材技术领域,具体涉及一种大尺寸钼溅射靶材及采用化学气相沉积法的制备工艺。所述大尺寸钼溅射靶材的制备方法,包括以下步骤:将钼与三氟化氮在高温条件下反应,制备出粗品六氟化钼;对所述粗品六氟化钼经真空蒸馏法和吸附法提纯后,得到高纯度六氟化钼;采用化学气相沉积法,用还原气体将高纯度六氟化钼还原成金属钼;将金属钼沉积到基体材料上,一步法生产出大尺寸钼溅射靶材。本发明制作的超高纯钼溅射靶材以高纯三氟化氮、高纯钼粉和还原气体(氢气)为原料,在化学气相沉积设备中一步完成,反应过程为连续气相反应,产品各向一致性和批次间一致性远优于传统钼靶材。
搜索关键词: 尺寸 溅射 采用 化学 沉积 制备 工艺
【主权项】:
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