[发明专利]功率半导体装置和用于制造功率半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202111490210.X | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114613765A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | M·丁斯特比尔 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L21/50;G01K1/14;G01K13/00;H01G4/258;H01G4/40 |
| 代理公司： | 重庆智鹰律师事务所 50274 | 代理人： | 唐超尘;刘贻行 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体装置，其具有：其上布置有功率半导体开关的基板；包括导电的第一插入式连接触点的电路板；电容器；包括接收电容器的接收装置的电容器保持元件；测量电容器温度的温度传感器；包括布置有导电的第二插入式连接触点的插入式连接区域的温度传感器保持元件，温度传感器连接到温度传感器保持元件，温度传感器保持元件连接到电容器保持元件；将温度传感器和第二插入式连接触点导电连接到彼此的温度传感器连接线，其至少一部段布置在温度传感器保持元件内部并且材料结合到此，和/或配置为布置在温度传感器保持元件上的传导迹线，第一和第二插入式连接触点形成导电插入式连接。本发明还涉及制造功率半导体装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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