[发明专利]功率半导体装置和用于制造功率半导体装置的方法

权利要求书

1.一种功率半导体装置，其特征在于，该功率半导体装置具有：基板(3)，功率半导体开关(4)布置在基板(3)上并且与基板(3)导电连接；电路板(2)，电路板(2)的法线方向(N2)垂直于基板(3)的法线方向(N1)延伸，电路板(2)包括导电的第一插入式连接触点(6)；电容器(5)，其与基板(3)导电连接；电容器保持元件(8)，其包括用于接收电容器(5)的接收装置(7)，电容器(5)布置在接收装置(7)中；温度传感器(9)，其旨在用于测量电容器(5)的温度；温度传感器保持元件(10)，其包括插入式连接区域(11)，在该插入式连接区域(11)上布置有导电的第二插入式连接触点(12)，温度传感器(9)连接到温度传感器保持元件(10)并且温度传感器保持元件(10)连接到电容器保持元件(8)；温度传感器连接线(13)，其将温度传感器(9)和第二插入式连接触点(12)导电连接到彼此，温度传感器连接线(13)的至少一部段布置在温度传感器保持元件(10)内部并且与温度传感器保持元件(10)材料结合，和/或温度传感器连接线(13)的至少一部段配置为布置在温度传感器保持元件(10)上的传导迹线，第二插入式连接触点(12)形成与第一插入式连接触点(6)的导电插入式连接。

2.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，温度传感器保持元件(10)由塑料形成，温度传感器连接线(13)的至少一部段布置在温度传感器保持元件(10)内部，并且通过将温度传感器连接线(13)的该至少一部段注射模制到温度传感器保持元件(10)内而材料结合到温度传感器保持元件(10)。

3.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，温度传感器保持元件(10)由塑料形成，通过将温度传感器(9)的至少一部分注射模制到温度传感器保持元件(10)内，温度传感器(9)连接到温度传感器保持元件(10)。

4.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，信号处理电路布置在电路板(2)上，所述信号处理电路用于对温度传感器产生的温度传感器信号进行信号处理。

5.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，用于驱动功率半导体开关(4)的驱动器控制电路布置在电路板(2)上。

6.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，第一插入式连接触点(6)配置为电路板(2)的金属化区域。

7.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，第一插入式连接触点(6)中的至少两个布置在电路板(2)的彼此相对的主侧(14，15)上。

8.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，温度传感器(9)与电容器(5)导热耦合。

9.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，功率半导体装置(1)包括底板(16)，基板(3)布置在底板(16)上。

10.根据权利要求9所述的功率半导体装置，其特征在于，底板(16)是散热器(17)的一体部分或者旨在布置在散热器上。

11.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，通过将温度传感器保持元件(10)与电容器保持元件(8)形成一件，温度传感器保持元件(10)连接到电容器保持元件(8)。

12.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，温度传感器保持元件(10)借助于力配合连接或形状配合连接而连接到电容器保持元件(8)，从而将温度传感器保持元件(10)连接到电容器保持元件(8)。