[发明专利]一种双极分裂栅增强型功率晶体管在审
| 申请号： | 202111356834.2 | 申请日： | 2021-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN114068675A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 王颖;黄昊;李兴冀;杨剑群;曹菲 | 申请（专利权）人： | 大连海事大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 116000 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开一种双极分裂栅增强型功率晶体管，包括衬底层、漂移区、有源层、槽栅以及器件顶层；所述衬底层位于双极分裂栅增强型功率晶体管底部，所述衬底层上表面一部分与漂移区连接，所述衬底层上表面另一部分与槽栅连接；所述漂移区上表面与有源层连接；所述有源层上表面与器件顶层连接。本发明通过在ATLAS模拟器中执行二维数值模拟，证明了BiSGE结构降低了导通电阻、IDS‑VDS和品质因数特性，与SGE相比，不会影响断态击穿电压。UIS测试结果表明，BiSGE晶体管的耐用性可与SGEUMOS相媲美。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分裂 增强 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
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