[发明专利]一种双极分裂栅增强型功率晶体管在审
| 申请号： | 202111356834.2 | 申请日： | 2021-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN114068675A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 王颖;黄昊;李兴冀;杨剑群;曹菲 | 申请（专利权）人： | 大连海事大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 116000 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 分裂 增强 功率 晶体管 | ||
1.一种双极分裂栅增强型功率晶体管，其特征在于，包括：
衬底层、漂移区、有源层、槽栅和器件顶层；
所述衬底层位于双极分裂栅增强型功率晶体管底部，所述衬底层上表面一部分与所述漂移区连接，所述衬底层上表面另一部分与所述槽栅连接；
所述漂移区上表面与所述有源层连接；
所述有源层上表面与所述器件顶层连接。
2.根据权利要求1所述的双极分裂栅增强型功率晶体管，其特征在于，所述衬底层由下到上设置有依次连接的漏极和衬底。
3.根据权利要求2所述的双极分裂栅增强型功率晶体管，其特征在于，所述漏极的材料为硅；所述衬底的材料为金属。
4.根据权利要求1所述的双极分裂栅增强型功率晶体管，其特征在于，所述漂移区为N型漂移区；所述漂移区的材料为硅。
5.根据权利要求4所述的双极分裂栅增强型功率晶体管，其特征在于，所述有源层包括：体区、基区和源区；
所述体区下表面与所述N型漂移区上表面连接，所述体区上表面分别与所述基区和所述源区的下表面连接，且与所述槽栅邻接；
所述基区位于所述有源层的左侧，所述基区的上表面与所述器件顶层的下表面连接，且与所述体区、所述源区邻接；
所述源区下表面与所述体区的上表面连接，所述源区上表面与所述器件顶层的下表面连接，所述源区左侧与所述基区邻接，所述源区右侧与所述槽栅邻接。
6.根据权利要求5所述的双极分裂栅增强型功率晶体管，其特征在于，所述体区与所述基区为P型，所述源区的掺杂类型为N型；所述体区、所述基区和所述源区的材料为硅。
7.根据权利要求5所述的双极分裂栅增强型功率晶体管，其特征在于，所述器件顶层包括：基极和源极；
所述基极与所述基区的上表面连接；所述源极与所述源区的上表面连接。
8.根据权利要求7所述的双极分裂栅增强型功率晶体管，其特征在于，所述基极与所述源极的材料为金属。
9.根据权利要求1所述的双极分裂栅增强型功率晶体管，其特征在于，所述槽栅包括：栅氧化物层、栅极、浮体层；
所述栅极位于所述槽栅的顶层，所述栅极与所述栅氧化物层连接；
所述浮体层位于所述栅极的下方，所述浮体层与所述栅氧化物层连接；
所述栅氧化物层贯穿于所述栅极与所述浮体层之间。
10.根据权利要求9所述的双极分裂栅增强型功率晶体管，其特征在于，所述栅极与所述浮体层的材料是多晶硅。
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