[发明专利]提高读可靠性的SRAM存储单元在审
| 申请号： | 202110994581.5 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113724754A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 张海能 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C8/14;G11C7/18 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种提高读可靠性的SRAM存储单元。该SRAM存储单元包括：锁存电路，所述锁存电路用于存储数据；写操作控制传输电路，所述写操作控制传输电路连接所述锁存电路，用于对所述锁存电路进行写操作，控制所述锁存电路形成不同的数据状态；读操作控制传输电路，所述读操作控制传输电路连接锁存电路输出端，用于对所述锁存电路进行读操作，读出所述锁存电路的数据状态。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 可靠性 sram 存储 单元 | ||
【主权项】：
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