[发明专利]提高读可靠性的SRAM存储单元

权利要求书

1.一种提高读可靠性的SRAM存储单元，其特征在于，所述SRAM存储单元包括：

锁存电路，所述锁存电路用于存储数据；

写操作控制传输电路，所述写操作控制传输电路连接所述锁存电路，用于对所述锁存电路进行写操作，控制所述锁存电路形成不同的数据状态；

读操作控制传输电路，所述读操作控制传输电路连接锁存电路输出端，用于对所述锁存电路进行读操作，读出所述锁存电路的数据状态。

2.如权利要求1所述的提高读可靠性的SRAM存储单元，其特征在于，所述读操作控制传输电路，将所述锁存电路输出端连接读操作字线和读操作位线，用于根据读操作字线的状态，从读操作位线读出所述锁存电路的数据状态。

3.如权利要求2所述的提高读可靠性的SRAM存储单元，其特征在于，所述读操作字线的状态包括读操作状态和其他操作状态；

在所述读操作字线的状态为读操作状态时，所述读操作位线读出所述锁存电路的数据状态；

在所述读操作字线的状态为其他操作状态时，所述读操作位线为无读出状态。

4.如权利要求2所述的提高读可靠性的SRAM存储单元，其特征在于，所述读操作控制传输电路包括：

读操作传输通路，所述读操作传输通路连于所述读操作位线和地端之间；

所述读操作字线和所述锁存电路输出端分别连接所述读操作传输通路的控制端，用于共同控制所述读操作传输通路的导通或断开。

5.如权利要求4所述的提高读可靠性的SRAM存储单元，其特征在于，当所述读操作字线的状态为读操作状态时，所述读操作传输通路根据所述锁存电路输出端的数据状态进行导通或断开，使得所述读操作位线读出所述锁存电路输出端的数据状态；

当所述读操作字线的状态为其他操作状态时，所述读操作位线为无读出状态，所述读操作传输通路断开。

6.如权利要求4所述的提高读可靠性的SRAM存储单元，其特征在于，所述读操作传输通路包括第一读操作传输MOS管和第二读操作传输MOS管；

所述第一读操作传输MOS管的一源漏端连接所述读操作位线，另一源漏端连接所述第二读操作传输MOS管的一源漏端，所述第二读操作传输MOS管的另一源漏端接所述地端；

所述读操作传输通路的控制端包括第一读操作传输MOS管的栅极，和所述第二读操作传输MOS管的栅极；

所述读操作字线连接所述第一读操作传输MOS管的栅极；

所述锁存电路输出端连接所述第二读操作传输MOS管的栅极。

7.如权利要求6所述的提高读可靠性的SRAM存储单元，其特征在于，所述第一读操作传输MOS管和所述第二读操作传输MOS管均为NMOS管；

当所述读操作字线为高电平，确定所述读操作字线的状态为读操作状态，所述读操作传输通路根据所述锁存电路输出端的数据状态进行导通或断开，使得所述读操作位线读出所述锁存电路输出端的数据状态；

当所述读操作字线为低电平，确定所读述操作字线的状态为其他操作状态，所述读操作位线为无读出状态，所述读操作传输通路断开。

8.如权利要求1至7中任一项所述的提高读可靠性的SRAM存储单元，其特征在于，所述锁存电路包括M个环形相连的反相器，所述M为大于等于4的偶数；按照当前反相器的一输入端连接前一反相器的输出端，所述当前反相器的另一输入端连接后一反相器的输出端，使得M个所述反相器依次相连形成闭环。

9.如权利要求8所述的提高读可靠性的SRAM存储单元，其特征在于，所述锁存电路输出端为：所述M个环形相连的反相器中，输出的数据状态与所述锁存电路的数据状态相同的反相器输出端。

10.如权利要求8所述的提高读可靠性的SRAM存储单元，其特征在于，所述写操作控制传输电路包括M个写操作传输MOS管，M个所述写操作传输MOS管与M个所述反相器一一对应相连，所述写操作传输MOS管将对应的反相器的输出端连接写操作字线和写操作位线。