[发明专利]分离栅功率MOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110975073.2 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN114156183A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 王加坤;吴兵 | 申请（专利权）人： | 杭州芯迈半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种分离栅功率MOS器件及其制造方法，方法包括：在衬底上形成外延层，在外延层中形成沟槽；在外延层表面和沟槽中形成第一绝缘层；在空腔中填充多晶硅并进行回蚀刻；在第一栅极导体的表面旋转涂布形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成掩膜，去除外延层表面和沟槽中所述掩膜侧壁的第一绝缘层，暴露沟槽的上部；在沟槽上部的侧壁和外延层的表面形成栅氧化层；在沟槽的上部中形成第二栅极导体。本申请的分离栅功率MOS器件的制造方法中，采用SOG工艺形成第二绝缘层，在回蚀刻第一绝缘层时采用掩膜保护第二绝缘层，降低了第二绝缘层厚度过厚或过薄的问题，从而降低了第一栅极导体与第二栅极导体之间的耐压和漏电问题。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 功率 mos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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