[发明专利]功率器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 202110852751.6 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113707718A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 唐高飞;黄伯宁;王汉星;包琦龙;徐越 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强;李稷芳 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种功率器件及其制备方法、电子装置。功率器件包括GaN缓冲层、第一势垒层、第二势垒层、阻挡层、第一p‑(Al)GaN部与栅极。GaN缓冲层、第一势垒层层叠设置，第一势垒层设有第一通孔，第二势垒层覆盖于第一势垒层背离GaN缓冲层的一侧，第二势垒层于第一通孔处形成沟槽，阻挡层设于第二势垒层背离GaN缓冲层的一侧，阻挡层设有第二通孔，第一p‑(Al)GaN部设于第二通孔并与第二势垒层接触，栅极设于第一p‑(Al)GaN部背离阻挡层的一侧。阻挡层能够在刻蚀p‑(Al)GaN时保护第二势垒层，减少刻蚀对第二势垒层的损伤，防止反向导通时空穴从第一p‑(Al)GaN部注入到第二势垒层中。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
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