[发明专利]功率器件及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种功率器件，其特征在于，包括GaN缓冲层、第一势垒层、第二势垒层、阻挡层、第一p-(Al)GaN部与栅极，

所述GaN缓冲层和所述第一势垒层层叠设置，所述第一势垒层设有贯穿所述第一势垒层的第一通孔；

所述第二势垒层包括第一部分与第二部分，所述第一部分覆盖于所述第一势垒层背离所述GaN缓冲层的一侧，所述第二部分覆盖于所述第一通孔的底壁与所述第一通孔的侧壁上；

所述第二部分于所述第一通孔内呈弯折状且形成沟槽；

所述阻挡层包括第三部分与第四部分，所述第三部分覆盖于所述第二势垒层背离所述GaN缓冲层一侧，所述第四部分覆盖所述沟槽的侧壁和所述沟槽的部分底壁，所述第四部分包括贯通所述第四部分的第二通孔；

所述第一p-(Al)GaN部的至少部分收容于所述第二通孔内并与所述第二势垒层的第二部分接触；

所述栅极设于所述第一p-(Al)GaN部背离所述阻挡层的一侧。

2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述阻挡层的第四部分覆盖于所述沟槽的底壁靠近所述沟槽的侧壁的一端。

3.根据权利要求2所述的功率器件，其特征在于，所述阻挡层的第四部分包括连接设置的第一次连接部与第二次连接部，所述第一次连接部覆盖于所述沟槽的侧壁，所述第二次连接部覆盖于所述沟槽的底壁上，所述第二通孔位于所述第二次连接部上，所述第一次连接部与所述第二次连接部围成收容腔，所述第一p-(Al)GaN部填充所述收容腔与所述第二通孔，所述第一p-(Al)GaN部远离所述GaN缓冲层的一端露出所述收容腔外。

4.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，

所述阻挡层的第三部分包括贯通所述第三部分的第三通孔及第四通孔，

所述功率器件还包括源极与漏极，

所述源极设于所述第三通孔并与所述第二势垒层的第一部分接触，

所述漏极设于所述第四通孔并与所述第二势垒层的第一部分接触。

5.根据权利要求4所述的功率器件，其特征在于，

所述阻挡层的第三部分上还设有贯通所述第三部分的连接孔，

所述功率器件还包括第二p-(Al)GaN部与空穴注入电极，

所述第二p-(Al)GaN部的至少部分收容于所述连接孔并与所述第二势垒层的第一部分接触，所述空穴注入电极设于所述第二p-(Al)GaN部背离所述第二势垒层一侧，所述空穴注入电极与所述漏极连接。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的功率器件，其特征在于，所述第一势垒层与所述第二势垒层的材质相同，所述第一势垒层的材质为AlGaN与InAlN中的一种。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的功率器件，其特征在于，所述阻挡层包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝、铝氧氮、硅氧氮中的一种。

8.一种电子装置，其特征在于，包括权利要求1-7任意一项所述的功率器件及电路板。