[发明专利]一种提高闪存编程效率的方法、装置、存储介质和终端在审

专利信息
申请号: 202110672500.X 申请日: 2021-06-17
公开(公告)号: CN113409852A 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 王明;冯鹏亮;陈纬荣;陈慧 申请(专利权)人: 芯天下技术股份有限公司
主分类号: G11C16/12 分类号: G11C16/12;G11C16/26;G11C16/34
代理公司: 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 代理人: 陈志超;唐敏珊
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区园山街*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种提高闪存编程效率的方法、装置、存储介质和终端,先将施加到地址线的电压切换到低压,然后遍历所有需要编程的数据的验证,验证完毕后找到flash内需要编程的地址,再将施加到地址线的电压切换到高压,对flash内需要编程的地址执行编程操作;虽然在对flash内需要编程的不同地址执行编程操作时,也需要在不同的地址间进行切换,还是会存在地址线的升压和降压导致的循环充放电过程,但是对于flash内不需要编程的地址则不再需要进行电压的升降切换,从而提高了编程的效率,在需要编程的数据的量足够大时,编程效率的提高效果非常明显。
搜索关键词: 一种 提高 闪存 编程 效率 方法 装置 存储 介质 终端
【主权项】:
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