[发明专利]一种提高闪存编程效率的方法、装置、存储介质和终端

权利要求书

1.一种提高闪存编程效率的方法，其特征在于，具体包括以下过程：

接收编程指令和需要编程的数据信息，并对所述需要编程的数据信息进行缓存；

读取缓存中的编程数据；

将施加到flash中的地址线的电压切换为低压，并根据所述编程数据在flash中进行地址切换；

验证所述编程数据，根据验证结果记录flash中需要进行编程的地址；

判断所述需要编程的数据信息是否已经读取完毕，

是，则跳转至读取缓存中的编程数据；

否，则对所述flash中需要进行编程的地址执行编程操作。

2.根据权利要求1所述的提高闪存编程效率的方法，其特征在于，所述需要编程的数据信息包括需要编程的地址和编程的数据。

3.根据权利要求1所述的提高闪存编程效率的方法，其特征在于，对所述需要编程的数据信息进行缓存，具体过程如下：将所述需要编程的数据信息根据数据宽度分别缓存在flash中至少一个数据锁存器中。

4.根据权利要求1所述的提高闪存编程效率的方法，其特征在于，所述地址线为flash中的地址所在的位线。

5.根据权利要求1所述的提高闪存编程效率的方法，其特征在于，验证所述编程数据，根据验证结果记录flash中需要进行编程的地址，具体包括以下过程：读取flash内部与所述编程数据对应的地址的数据；将flash内部对应的地址的数据与所述编程数据的进行比较，根据比较得出flash内部需要编程的地址并记录。

6.根据权利要求3所述的提高闪存编程效率的方法，其特征在于，所述是，则跳转至读取缓存中的编程数据，具体包括以下过程：是，所述数据锁存器中的地址加1，并转至读取缓存中的编程数据。

7.一种提高闪存编程效率的装置，其特征在于，包括：

接收模块，接收编程指令和需要编程的数据信息，并对所述需要编程的数据信息进行缓存；

读取模块，读取缓存中的编程数据；

地址切换模块，将施加到flash中的地址线的电压切换为低压，并根据所述编程数据在flash中进行地址切换；

数据验证模块，验证所述编程数据，根据验证结果记录flash中需要进行编程的地址；

判断模块，判断所述需要编程的数据信息是否已经读取完毕；

跳转模块，跳转至读取缓存中的编程数据；

编程模块，对所述flash中需要进行编程的地址执行编程操作。

8.根据权利要求7所述的提高闪存编程效率的装置，其特征在于，还包括用于使数据锁存器的地址进行累加的地址累加器，在完成上一个锁存数据的验证后，地址累加器使数据锁存器的地址加1，再进行下一个锁存数据的读取。

9.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质中存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行权利要求1至6任一项所述的方法。

10.一种终端，其特征在于，包括处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，用于执行权利要求1至6任一项所述的方法。