[发明专利]一种提高闪存编程效率的方法、装置、存储介质和终端

说明书

本发明公开了一种提高闪存编程效率的方法、装置、存储介质和终端，先将施加到地址线的电压切换到低压，然后遍历所有需要编程的数据的验证，验证完毕后找到flash内需要编程的地址，再将施加到地址线的电压切换到高压，对flash内需要编程的地址执行编程操作；虽然在对flash内需要编程的不同地址执行编程操作时，也需要在不同的地址间进行切换，还是会存在地址线的升压和降压导致的循环充放电过程，但是对于flash内不需要编程的地址则不再需要进行电压的升降切换，从而提高了编程的效率，在需要编程的数据的量足够大时，编程效率的提高效果非常明显。

技术领域

本发明涉及flash技术领域，尤其涉及的是一种提高闪存编程效率的方法、装置、存储介质和终端。

背景技术

如图1所示，为Nor flash一般的编程过程，接收编程指令和数据，然后验证数据并记录需要编程的地址，再进行编程。

现有技术中，为保证器件正常工作，在不同地址进行切换时需要将地址线的电压从高压切换到低压，而在地址切换完毕后，地址线的电压则会再次升高，然后进行数据验证，当验证到有需要编程的地址后即对该地址进行编程，编程完毕后再把地址线的电压切换为低压进行地址切换......；或者验证不到有需要编程的地址，则把地址线的电压切换为低压进行地址切换......，这样不断循环，直至完成所有数据的编程操作，而地址线的升压和降压导致的循环充放电过程直接影响了编程的效率。

因此，现有的技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种提高闪存编程效率的方法、装置、存储介质和终端，旨在解决现有的编程过程中不断循环充放电过程直接影响编程效率的问题。

本发明的技术方案如下：本技术方案提供一种提高闪存编程效率的方法，具体包括以下过程：

接收编程指令和需要编程的数据信息，并对所述需要编程的数据信息进行缓存；

读取缓存中的编程数据；

将施加到flash中的地址线的电压切换为低压，并根据所述编程数据在flash中进行地址切换；

验证所述编程数据，根据验证结果记录flash中需要进行编程的地址；

判断所述需要编程的数据信息是否已经读取完毕，

是，则跳转至读取缓存中的编程数据；

否，则对所述flash中需要进行编程的地址执行编程操作。

本技术方案中，将施加到地址线的电压切换到低压，然后遍历所有需要编程的数据的验证，验证完毕后找到flash内需要编程的地址，再对flash内需要编程的地址执行编程操作；对于flash内不需要编程的地址不再需要进行电压的升降切换，从而提高了编程的效率。

进一步地，所述需要编程的数据信息包括需要编程的地址和编程的数据。

进一步地，对所述需要编程的数据信息进行缓存，具体过程如下：将所述需要编程的数据信息根据数据宽度分别缓存在flash中至少一个数据锁存器中。

进一步地，所述地址线为flash中的地址所在的位线。

进一步地，验证所述编程数据，根据验证结果记录flash中需要进行编程的地址，具体包括以下过程：读取flash内部与所述编程数据对应的地址的数据；将flash内部对应的地址的数据与所述编程数据的进行比较，根据比较得出flash内部需要编程的地址并记录。

进一步地，所述是，则跳转至读取缓存中的编程数据，具体包括以下过程：是，所述数据锁存器中的地址加1，并转至读取缓存中的编程数据。

本技术方案还提供一种提高闪存编程效率的装置，包括：

接收模块，接收编程指令和需要编程的数据信息，并对所述需要编程的数据信息进行缓存；

读取模块，读取缓存中的编程数据；