[发明专利]PECVD提高氧化铝背膜钝化效果的制备方法在审
| 申请号： | 202110421693.1 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113293358A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 蒋万昌;王森栋 | 申请（专利权）人： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/50;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池生产领域。PECVD提高氧化铝背膜钝化效果的制备方法，在制绒、扩散、正激光、碱抛、后氧化的晶体硅片用管式PECVD沉积，PECVD沉积过程安如下步骤进行，步骤一、制备氧化铝膜；步骤二、进行第一次预清理；步骤三、制备氮氧化硅膜；步骤四、进行第二次预先清理；步骤五、制备氮化硅膜。在镀氮化硅膜和氮氧化硅膜前添加一次预清理，在每次镀膜前添加可以有效的减少镀膜过程中的污染，并生成更纯净的SiNx膜，SiOxNy膜，从而使开压得到很大提升。 | ||
| 搜索关键词： | pecvd 提高 氧化铝 钝化 效果 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山西潞安太阳能科技有限责任公司，未经山西潞安太阳能科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110421693.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种心脏介入治疗用导丝导入装置
- 下一篇：一种目标跟踪方法、装置和电子系统
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
