[发明专利]PECVD提高氧化铝背膜钝化效果的制备方法

说明书

本发明涉及太阳能电池生产领域。PECVD提高氧化铝背膜钝化效果的制备方法，在制绒、扩散、正激光、碱抛、后氧化的晶体硅片用管式PECVD沉积，PECVD沉积过程安如下步骤进行，步骤一、制备氧化铝膜；步骤二、进行第一次预清理；步骤三、制备氮氧化硅膜；步骤四、进行第二次预先清理；步骤五、制备氮化硅膜。在镀氮化硅膜和氮氧化硅膜前添加一次预清理，在每次镀膜前添加可以有效的减少镀膜过程中的污染，并生成更纯净的SiNx膜，SiOxNy膜，从而使开压得到很大提升。

技术领域

本发明涉及太阳能电池生产领域。

背景技术

PECVD氧化铝工艺是在硅片背表面镀上一层氧化铝及氮化硅薄膜，从而减少硅片杂质复合，提高电池片效率，并提高吸收太阳光，降低背表面反射，保护电池片不受污染。为了提高晶体硅太阳能电池的效率，通常需要对晶体硅表面进行钝化处理，以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：如何制作一种钝化效果更好、的晶硅电池背钝化减反膜。

本发明所采用的技术方案是：PECVD提高氧化铝背膜钝化效果的制备方法，在制绒、扩散、正激光、碱抛、后氧化的晶体硅片用管式 PECVD 沉积， PECVD 沉积过程安如下步骤进行

步骤一、制备氧化铝膜；

步骤二、进行第一次预清理，在管式 PECVD中，氮气流量为 5-10L/min、氨气流量为5-10L/min，压力1000-2000mTorr，射频功率 7-15kw，持续时间 10-50s，处理温度为350-450℃；

步骤三、制备氮氧化硅膜；

步骤四、进行第二次预先清理，在管式 PECVD中，氮气流量为 3-10L/min、氨气流量为5-10L/min，压力1000-2000mTorr，射频功率 7-15kw，持续时间 10-50s，处理温度为350-500℃；

步骤五、制备氮化硅膜。

步骤一中，制备氧化铝膜时，氮气流量为 3-10L/min、笑气流量为5-10L/min，TMA流量50-150ml/min,压力1000-2000mTorr，射频功率7k-15kwatt,时间100-200s, 处理温度为 350-450℃。

步骤三中，制备氮氧化硅膜时，氮气流量为 3-10L/min、氨气流量为3-6L/min、硅烷流量为450-1450ml/min，笑气流量为5-10L/min，压力1000-2000mTorr，射频功率7k-15kwatt,时间100-300s, 处理温度为 350-500℃；

步骤五中，制备氮化硅膜时，氮气流量为 5-10L/min、氨气流量为3-6L/min、硅烷流量为450-1350ml/min，压力1000-2000mTorr，射频功率7k-15kwatt,时间200-500s, 处理温度为 350-500℃。

本发明的有益效果是：在PECVD的镀膜过程中，在镀氮化硅膜和氮氧化硅膜前添加一次预清理，预清理主要作用是用NH3中的H离子钝化硅片表面，置换杂质，在每次镀膜前添加可以有效的减少镀膜过程中的污染，并生成更纯净的SiNx膜，SiOxNy膜，从而使开压得到很大提升。

具体实施方式

使用 PECVD制作第一氧化铝膜，其中氮气流量为 3-10L/min、笑气流量为5-10L/min，TMA流量50-150ml/min,压力1000-2000mTorr，射频功率7k-15kwatt,时间100-200s,处理温度为 350-450℃ ；

使用 PECVD 在硅基上进行第一次预清理，其中氮气流量为 5-10L/min、氨气流量为5-10L/min，压力1000-2000mTorr，射频功率 7-15kw，持续时间 10-50s，处理温度为350-450℃ ；