[发明专利]PECVD提高氧化铝背膜钝化效果的制备方法在审
| 申请号： | 202110421693.1 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113293358A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 蒋万昌;王森栋 | 申请（专利权）人： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/50;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | pecvd 提高 氧化铝 钝化 效果 制备 方法 | ||
1.PECVD提高氧化铝背膜钝化效果的制备方法，在制绒、扩散、正激光、碱抛、后氧化的晶体硅片用管式 PECVD 沉积，其特征在于：PECVD 沉积过程安如下步骤进行
步骤一、制备氧化铝膜；
步骤二、进行第一次预清理，在管式 PECVD中，氮气流量为 5-10L/min、氨气流量为5-10L/min，压力1000-2000mTorr，射频功率 7-15kw，持续时间 10-50s，处理温度为 350-450℃；
步骤三、制备氮氧化硅膜；
步骤四、进行第二次预先清理，在管式 PECVD中，氮气流量为 3-10L/min、氨气流量为5-10L/min，压力1000-2000mTorr，射频功率 7-15kw，持续时间 10-50s，处理温度为 350-500℃；
步骤五、制备氮化硅膜。
2.根据权利要求1所述的PECVD提高氧化铝背膜钝化效果的制备方法，其特征在于：步骤一中，制备氧化铝膜时，氮气流量为 3-10L/min、笑气流量为5-10L/min，TMA流量50-150ml/min,压力1000-2000mTorr，射频功率7k-15kwatt,时间100-200s, 处理温度为 350-450℃。
3.根据权利要求1所述的PECVD提高氧化铝背膜钝化效果的制备方法，其特征在于：步骤三中，制备氮氧化硅膜时，氮气流量为 3-10L/min、氨气流量为3-6L/min、硅烷流量为450-1450ml/min，笑气流量为5-10L/min，压力1000-2000mTorr，射频功率7k-15kwatt,时间100-300s, 处理温度为 350-500℃。
4.根据权利要求1所述的PECVD提高氧化铝背膜钝化效果的制备方法，其特征在于：步骤五中，制备氮化硅膜时，氮气流量为 5-10L/min、氨气流量为3-6L/min、硅烷流量为450-1350ml/min，压力1000-2000mTorr，射频功率7k-15kwatt,时间200-500s, 处理温度为350-500℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山西潞安太阳能科技有限责任公司，未经山西潞安太阳能科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110421693.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种心脏介入治疗用导丝导入装置
- 下一篇：一种目标跟踪方法、装置和电子系统
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
