[发明专利]功率半导体装置在审
| 申请号： | 202011071299.1 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN112164720A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 杨信佳 | 申请（专利权）人： | 杨信佳 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 崔玥 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种功率半导体装置，其包含N型半导体层、P型井区、N型重掺杂区、绝缘层与闸极层。P型井区设于N型半导体层中，P型井区围绕N型半导体层的C字形N型区域。N型重掺杂区设于P型井区中，N型重掺杂区围绕C字形N型区域。绝缘层设于N型半导体层上，并覆盖部分的P型井区、部分的N型重掺杂区与C字形N型区域。闸极层设于绝缘层上，闸极层的形状与C字形N型区域相同。本发明通过增加电流通过的截面积与闸极层的周长，以降低热能产生机率。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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