[发明专利]功率半导体装置在审
| 申请号： | 202011071299.1 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN112164720A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 杨信佳 | 申请（专利权）人： | 杨信佳 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 崔玥 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 | ||
1.一种功率半导体装置，其特征在于，该功率半导体装置包含：
N型半导体层；
P型井区，设于该N型半导体层中，其中该P型井区围绕该N型半导体层的一C字形N型区域；
N型重掺杂区，设于该P型井区中，该N型重掺杂区围绕该C字形N型区域；
绝缘层，设于该N型半导体层上，并覆盖部分的该P型井区、部分的该N型重掺杂区与全部该C字形N型区域；
闸极层，设于该绝缘层上，该闸极层的形状与该C字形N型区域的形状相同。
2.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，该N型半导体层为N型轻掺杂基板。
3.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，该功率半导体装置还包含重掺杂半导体层，该重掺杂半导体层设于该N型半导体层的底部。
4.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，该P型井区的外侧壁与该N型重掺杂区的外侧壁相隔。
5.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，该闸极层与该C字形N型区域的每一者具有互相连通的第一凹入部与第二凹入部，该第一凹入部的宽度不同于该第二凹入部的宽度，该第一凹入部具有固定宽度，该第二凹入部具有渐变宽度。
6.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，该闸极层的外周长包含至少两条直线，该至少两条直线为等长。
7.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，该闸极层具有凹入部，该凹入部具有固定宽度或渐变宽度，该绝缘层的形状与该闸极层的形状相同。
8.根据权利要求1所述的功率半导体装置，还包含：
P型重掺杂区，设于该P型井区中，并围绕该N型重掺杂区；
P型重掺杂半导体层，设于该N型半导体层的底部。
9.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，该N型半导体层为N型基板。
10.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，该N型半导体层还包含：
半导体基板；
N型磊晶层，设于该半导体基板上，该N型磊晶层具有该C字形N型区域，该P型井区设于该N型磊晶层中，该绝缘层设于该N型磊晶层上。
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