[发明专利]晶圆级芯片尺寸封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010863430.1 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113675155A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 林俊辰 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/60;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆级芯片尺寸封装结构及其制造方法，晶圆级芯片尺寸封装结构包括第一芯片、重布线路层、多个球底金属层、多个导电柱、第二芯片、封装胶体以及多个连接部。重布线路层位于第一芯片上且电性连接至其焊垫。球底金属层位于重布线路层上。导电柱位于一部分的球底金属层上。第二芯片位于另一部分的球底金属层上。第二芯片具有面向所述多个球底金属层的有源面。导电柱围绕第二芯片。封装胶体至少包封第二芯片与导电柱的部分侧壁。封装胶体的顶面低于导电柱的顶面。连接部位于导电柱上且通过导电柱以及球底金属层与重布线路层电性连接。连接部延伸至封装胶体的顶面。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 芯片 尺寸 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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