[发明专利]晶圆级芯片尺寸封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于，包括：

第一芯片，具有多个焊垫；

重布线路层，位于所述第一芯片上且电性连接至所述多个焊垫；

多个球底金属层，位于所述重布线路层上；

多个导电柱，位于一部分的所述多个球底金属层上；

第二芯片，位于另一部分的所述多个球底金属层上，且所述第二芯片具有面向所述多个球底金属层的有源面，其中所述多个导电柱围绕所述第二芯片；

封装胶体，至少包封所述第二芯片与所述多个导电柱的部分侧壁，其中所述封装胶体的顶面低于所述多个导电柱的顶面；以及

多个连接部，位于所述多个导电柱上，其中所述多个连接部通过所述多个导电柱以及所述多个球底金属层与所述重布线路层电性连接，且所述多个连接部延伸至所述封装胶体的所述顶面。

2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述多个连接部为块状、半球状或球状的焊料。

3.根据权利要求2所述的晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述多个连接部包覆所述多个导电柱的另一部分所述侧壁。

4.一种晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供晶圆，其中所述晶圆包括多个第一芯片，且每一所述多个第一芯片具有多个焊垫；

形成重布线路层于所述晶圆上且电性连接至所述多个焊垫；

形成多个球底金属层于所述重布线路层上；

形成多个导电柱于所述多个球底金属层上，其中两相邻的所述多个导电柱之间具有一开口；

配置第二芯片于所述开口中，其中所述第二芯片具有面向所述多个球底金属层的有源面且电性连接至所述多个球底金属层；

形成封装胶体以至少包封所述第二芯片与所述多个导电柱的部分侧壁；以及

形成多个连接部于所述多个导电柱上，其中所述多个连接部通过所述多个导电柱以及所述多个球底金属层与所述重布线路层电性连接。

5.根据权利要求4所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于，还包括：

形成多个第一掩模层于所述重布线路层上；

进行电镀工艺，以于所述多个第一掩模层之间形成所述多个球底金属层。

6.根据权利要求4所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于，还包括：

形成多个第二掩模层于部分所述多个球底金属层上且暴露出另一部分的所述多个球底金属层；

进行电镀工艺，以于被暴露出的所述另一部分的所述多个球底金属层上形成所述多个导电柱；以及

移除所述多个第二掩模层，以形成所述开口。

7.根据权利要求4所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于，形成所述封装胶体后还包括：

对所述晶圆进行晶背研磨工艺，以薄化所述晶圆厚度。

8.根据权利要求4所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于，形成所述封装胶体后还包括：

对所述晶圆进行切割工艺，以形成单离的晶圆级芯片尺寸封装结构。

9.根据权利要求8所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于，形成所述多个连接部的步骤包括：

形成多个焊料层于所述多个导电柱上，其中所述多个焊料层的形成方法包括网版印刷、电镀或涂布。

10.根据权利要求9所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于，形成所述多个焊料层于所述多个导电柱后还包括：

对所述多个焊料层进行回焊工艺。