[发明专利]一种铟镁合金引晶梯度生长合成方法在审
| 申请号： | 202010794419.4 | 申请日： | 2020-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN112095152A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 王友军;金凤高;徐昕 | 申请（专利权）人： | 安徽亚格盛电子新材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/52 | 分类号： | C30B29/52;C30B11/02 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 李寰 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种铟镁合金引晶梯度生长合成方法，通过一次性向石墨坩埚中按比例投入铟和镁固体物料，利用控制加热模块控温，金属液态恒速搅拌均匀，引晶梯度生长法装置连锁；制备的铟镁合金晶体主量组成分布均匀；没有金属分层现象；实现从原有真空法和混合法制备铟镁合金过程中存在压力容器风险和合金分层不均匀问题；可以实现微正压方法加热‑搅拌‑引晶‑收晶一体高效集成；准确控制反应速度，实现整个晶体生长过程中安全风险可控，极大的提高铟镁合金晶体的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镁合金 梯度 生长 合成 方法 | ||
【主权项】：
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