[发明专利]一种铟镁合金引晶梯度生长合成方法在审
| 申请号： | 202010794419.4 | 申请日： | 2020-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN112095152A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 王友军;金凤高;徐昕 | 申请（专利权）人： | 安徽亚格盛电子新材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/52 | 分类号： | C30B29/52;C30B11/02 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 李寰 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 镁合金 梯度 生长 合成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铟镁合金引晶梯度生长合成方法，其特征在于：包括有以下步骤：
步骤一：按比例称量铟和镁固体物料，一次性将称量的铟和镁固体物料投入到石墨坩埚中；
步骤二：对石墨坩埚采用控制加热模块控温，铟和镁固体物料呈金属液态，铟和镁固体物料金属液态在石墨坩埚中恒速搅拌均匀，采用引晶梯度生长法装置连锁，最后进行收晶得到铟镁合金，最终完成铟镁合金晶体的制备。
2.如权利要求1所述一种铟镁合金引晶梯度生长合成方法，其特征在于：将石墨坩埚恒温到二元合金熔融的相图曲线温度，用引晶棒底部与金属液面接触，使铟镁合金晶体按时间梯度均匀生长，到收晶结束，完成铟镁合金晶体制备流程。
3.如权利要求1所述一种铟镁合金引晶梯度生长合成方法，其特征在于：所述石墨坩埚和引晶梯度生长法装置具有自动化控制与自动化控制控温警戒告警功能。
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