[发明专利]一种铟镁合金引晶梯度生长合成方法

说明书

本发明的目的是提供一种铟镁合金引晶梯度生长合成方法，通过一次性向石墨坩埚中按比例投入铟和镁固体物料，利用控制加热模块控温，金属液态恒速搅拌均匀，引晶梯度生长法装置连锁；制备的铟镁合金晶体主量组成分布均匀；没有金属分层现象；实现从原有真空法和混合法制备铟镁合金过程中存在压力容器风险和合金分层不均匀问题；可以实现微正压方法加热‑搅拌‑引晶‑收晶一体高效集成；准确控制反应速度，实现整个晶体生长过程中安全风险可控，极大的提高铟镁合金晶体的质量。

技术领域

本发明涉及MO源的铟镁合金合成领域，尤其涉及一种铟镁合金引晶梯度生长合成方法。

背景技术

目前，在铟镁合金合成工艺中，主要采用真空法和混合法进行量组成均匀分布。铟镁合金制备过程中，铟的密度（7.3g/cm3）镁的密度(1.738g/cm30)易产生镁与铟的分层；无法满足上下晶体主量组成均匀分布。因此需要采用一种引晶梯度生长合成法来合成铟镁合金。因此解决这一问题就显得十分必要了。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种铟镁合金引晶梯度生长合成方法，通过一次性向石墨坩埚中按比例投入铟和镁固体物料，利用控制加热模块控温，金属液态恒速搅拌均匀，引晶梯度生长法装置连锁；制备的铟镁合金晶体主量组成分布均匀；没有金属分层现象；实现从原有真空法和混合法制备铟镁合金过程中存在压力容器风险和合金分层不均匀问题；可以实现微正压方法加热-搅拌-引晶-收晶一体高效集成；准确控制反应速度，实现整个晶体生长过程中安全风险可控，极大的提高铟镁合金晶体的质量，解决了背景技术中出现的问题。

本发明的目的是提供一种铟镁合金引晶梯度生长合成方法，包括有以下步骤：

步骤一：按比例称量铟和镁固体物料，一次性将称量的铟和镁固体物料投入到石墨坩埚中；

步骤二：对石墨坩埚采用控制加热模块控温，铟和镁固体物料呈金属液态，铟和镁固体物料金属液态在石墨坩埚中恒速搅拌均匀，采用引晶梯度生长法装置连锁，最后进行收晶得到铟镁合金，最终完成铟镁合金晶体的制备。

进一步改进在于：将石墨坩埚恒温到二元合金熔融的相图曲线温度，用引晶棒底部与金属液面接触，使铟镁合金晶体按时间梯度均匀生长，到收晶结束，完成铟镁合金晶体制备流程。

进一步改进在于：所述石墨坩埚和引晶梯度生长法装置具有自动化控制与自动化控制控温警戒告警功能。

本发明的有益效果：本发明通过一次性向石墨坩埚中按比例投入铟和镁固体物料，利用控制加热模块控温，金属液态恒速搅拌均匀，引晶梯度生长法装置连锁；制备的铟镁合金晶体主量组成分布均匀；没有金属分层现象；实现从原有真空法和混合法制备铟镁合金过程中存在压力容器风险和合金分层不均匀问题；可以实现微正压方法加热-搅拌-引晶-收晶一体高效集成；准确控制反应速度，实现整个晶体生长过程中安全风险可控，极大的提高铟镁合金晶体的质量。

具体实施方式

为了加深对本发明的理解，下面将结合实施例对本发明作进一步详述，该实施例仅用于解释本发明，并不构成对本发明保护范围的限定。

本实施例提供一种铟镁合金引晶梯度生长合成方法，包括有以下步骤：

步骤一：按比例称量铟和镁固体物料，一次性将称量的铟和镁固体物料投入到石墨坩埚中；

步骤二：对石墨坩埚采用控制加热模块控温，铟和镁固体物料呈金属液态，铟和镁固体物料金属液态在石墨坩埚中恒速搅拌均匀，采用引晶梯度生长法装置连锁，最后进行收晶得到铟镁合金，最终完成铟镁合金晶体的制备。

将石墨坩埚恒温到二元合金熔融的相图曲线温度，用引晶棒底部与金属液面接触，使铟镁合金晶体按时间梯度均匀生长，到收晶结束，完成铟镁合金晶体制备流程。石墨坩埚和引晶梯度生长法装置具有自动化控制与自动化控制控温警戒告警功能。

通过一次性向石墨坩埚中按比例投入铟和镁固体物料，利用控制加热模块控温，金属液态恒速搅拌均匀，引晶梯度生长法装置连锁；制备的铟镁合金晶体主量组成分布均匀；没有金属分层现象；实现从原有真空法和混合法制备铟镁合金过程中存在压力容器风险和合金分层不均匀问题；可以实现微正压方法加热-搅拌-引晶-收晶一体高效集成；准确控制反应速度，实现整个晶体生长过程中安全风险可控，极大的提高铟镁合金晶体的质量。