[发明专利]用于生产功率半导体模块的方法和功率半导体模块在审
| 申请号： | 202010423273.2 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN111987005A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 斯特凡·赫克斯霍尔德;斯特凡·厄尔林;迈克尔·尤努策尔;马库斯·迪泽尔 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01L25/07;H01L23/485 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 蔡石蒙;车文 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于生产功率半导体模块的方法和功率半导体模块，所述方法具有以下处理步骤：a)提供功率半导体布置，所述功率半导体布置具有基底和功率半导体部件，b)提供压花膜复合物，其中所述压花膜复合物被压花，使得在所述膜复合物的第一膜连接区域的法线方向上，所述第一膜连接区域被布置在第一高度水平处，第二膜连接区域被布置在高于所述第一高度水平的第二高度水平处，c)将导电粘合剂布置在所述压花膜复合物的所述第一膜连接区域和第二膜连接区域上，并且/或者布置在第一导体轨道和第二功率端子上，d)将所述压花膜复合物布置在所述基底上，使得粘合剂的第一部分与所述第一膜连接区域和第一导体轨道机械接触，并且粘合剂的第二部分与所述第二膜连接区域和第二功率端子机械接触，e)使粘合剂硬化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 功率 半导体 模块 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
