[发明专利]用于生产功率半导体模块的方法和功率半导体模块

说明书

本发明涉及一种用于生产功率半导体模块的方法和功率半导体模块，所述方法具有以下处理步骤：a)提供功率半导体布置，所述功率半导体布置具有基底和功率半导体部件，b)提供压花膜复合物，其中所述压花膜复合物被压花，使得在所述膜复合物的第一膜连接区域的法线方向上，所述第一膜连接区域被布置在第一高度水平处，第二膜连接区域被布置在高于所述第一高度水平的第二高度水平处，c)将导电粘合剂布置在所述压花膜复合物的所述第一膜连接区域和第二膜连接区域上，并且/或者布置在第一导体轨道和第二功率端子上，d)将所述压花膜复合物布置在所述基底上，使得粘合剂的第一部分与所述第一膜连接区域和第一导体轨道机械接触，并且粘合剂的第二部分与所述第二膜连接区域和第二功率端子机械接触，e)使粘合剂硬化。

技术领域

本发明涉及一种用于生产功率半导体模块的方法和功率半导体模块。

背景技术

DE 10 2013 104 949 B3公开了一种功率半导体模块，该功率半导体模块具有基底、功率半导体部件和膜复合物，其中膜复合物通过压力烧结连接以导电方式连接到功率半导体部件和基底。

压力烧结连接的产生在技术上是复杂的，因为它需要对待相互连接的元件施加压力和温度。此外，高加压负荷会损坏功率半导体部件，并且例如在DCB基底或AMB基底的情况下，损坏基底的陶瓷层。

发明内容

本发明的目的是创造一种用于生产功率半导体模块的高效方法，以及一种可以被高效生产的功率半导体模块。

该目的通过一种用于生产功率半导体模块的方法来实现，该方法具有以下处理步骤：

a)提供功率半导体组件，该功率半导体组件具有：基底，该基底具有不导电绝缘层，在该不导电绝缘层的第一主侧上布置有第一导体轨道和第二导体轨道；和功率半导体部件，该功率半导体部件布置在基底的第二导体轨道上，并且该功率半导体部件在其面向第二导体轨道的第一主侧上具有第一功率端子，并且在其背对第二导体轨道的第二主侧上具有第二功率端子，第一功率端子以导电方式连接到第二导体轨道，

b)提供压花膜复合物，该压花膜复合物具有不导电的第一膜和被布置在该第一膜上的导电的第二结构化膜，其中第二膜被结构化，使得所述膜具有第一膜连接区域和与第一膜连接区域分开布置的第二膜连接区域，其中压花膜复合物被压花，使得在第一膜连接区域的法线方向上，第一膜连接区域被布置在第一高度水平处，第二膜连接区域被布置在高于第一高度水平的第二高度水平处，

c)将导电粘合剂布置在压花膜复合物的第一膜连接区域和第二膜连接区域上，并且/或者布置在第一导体轨道和第二功率端子上，

d)将压花膜复合物布置在基底上，使得粘合剂的第一部分与第一膜连接区域和第一导体轨道机械接触，并且粘合剂的第二部分与第二膜连接区域和第二功率端子机械接触，

e)使粘合剂硬化。

此外，该目的通过一种功率半导体模块来实现，该功率半导体模块具有：基底，该基底具有不导电绝缘层，在不导电绝缘层的第一主侧上布置有第一导体轨道和第二导体轨道；和功率半导体部件，该功率半导体部件被布置在基底的第二导体轨道上，并且在该功率半导体部件的面向第二导体轨道的第一主侧上具有第一功率端子，在该功率半导体部件的背对第二导体轨道的第二主侧上具有第二功率端子，其中第一功率端子以导电方式连接到第二导体轨道；并且所述功率半导体模块具有压花膜复合物，该压花膜复合物具有不导电的第一膜和被布置在该第一膜上的导电的结构化第二膜，其中第二膜被结构化，使得所述膜具有第一膜连接区域和与第一膜连接区域分开布置的第二膜连接区域，其中压花膜复合物被压花，使得在第一膜连接区域的法线方向上，第一膜连接区域被布置在第一高度水平处，第二膜连接区域布置在高于第一高度水平的第二高度水平处；并且所述功率半导体模块具有导电硬化粘合剂，其中粘合剂的第一部分以导电方式将第一膜连接区域连接到第一导体轨道，并且粘合剂的第二部分以导电方式将膜连接区域连接到第二功率端子。