[发明专利]用于生产功率半导体模块的方法和功率半导体模块在审

专利信息
申请号: 202010423273.2 申请日: 2020-05-19
公开(公告)号: CN111987005A 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: 斯特凡·赫克斯霍尔德;斯特凡·厄尔林;迈克尔·尤努策尔;马库斯·迪泽尔 申请(专利权)人: 赛米控电子股份有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/60;H01L25/07;H01L23/485
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 蔡石蒙;车文
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 生产 功率 半导体 模块 方法
【权利要求书】:

1.用于制造功率半导体模块(1)的方法,包括以下处理步骤:

a)提供功率半导体组件(2),所述功率半导体组件(2)具有:基底(3),所述基底具有不导电绝缘层(4),在所述不导电绝缘层的第一主侧(4a)上布置有第一导体轨道和第二导体轨道(5a、5b);和功率半导体部件(7),所述功率半导体部件被布置在所述基底(3)的所述第二导体轨道(5b)上,并且在所述功率半导体部件的面向所述第二导体轨道(5b)的第一主侧(8a)上具有第一功率端子(9a),并且在所述功率半导体部件的背对所述第二导体轨道(5b)的第二主侧(8b)上具有第二功率端子(9b),其中所述第一功率端子(9a)以导电方式连接到所述第二导体轨道(5b),

b)提供压花膜复合物(10),所述压花膜复合物(10)具有不导电的第一膜(11)和被布置在所述第一膜上的导电的第二结构化膜(12),其中所述第二膜(12)被结构化,使得所述膜具有第一膜连接区域(12a)和与所述第一膜连接区域(12a)分开布置的第二膜连接区域(12b),其中所述压花膜复合物(10)被压花,使得在所述第一膜连接区域(12a)的法线方向(N)上,所述第一膜连接区域(12a)被布置在第一高度水平(H1)处,并且所述第二膜连接区域(12b)被布置在高于所述第一高度水平(H1)的第二高度水平(H2)处,

c)将导电粘合剂(15)布置在所述压花膜复合物(10)的所述第一膜连接区域和所述第二膜连接区域(12a、12b)上,并且/或者布置在所述第一导体轨道(5a)和所述第二功率端子(9b)上,

d)将所述压花膜复合物(10)布置在所述基底(2)上,使得所述粘合剂(15)的第一部分(15a)与所述第一膜连接区域(12a)和所述第一导体轨道(5a)机械接触,并且所述粘合剂(15)的第二部分(15b)与所述第二膜连接区域(12b)和所述第二功率端子(9b)机械接触,

e)使所述粘合剂(15)硬化。

2.根据权利要求1的方法,具有以下处理步骤:

f)用不导电的灌封化合物填充被布置在所述膜复合物(10)与所述功率半导体组件(2)之间的至少一个空腔(22)。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述压花膜复合物(10)具有导电的第三膜(13),所述第三膜被结构化,以形成膜导体轨道(13a、13b),并且所述第一膜(11)被布置在所述第二膜与所述第三膜(12、13)之间。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述压花膜复合物(10)具有穿过所述第一膜(11)的导电过孔(14),所述导电过孔以导电方式将所述第一膜连接区域和所述第二膜连接区域(12a、12b)连接到所述第三膜(13)。

5.根据权利要求1至2中任一项所述的方法,其特征在于,所述压花膜复合物(10)被压花,使得当执行处理步骤d)时,与所述功率半导体部件(7)的边缘(7’)的周围区域(U)对准的所述压花膜复合物(10)在所述周围区域(U)上方具有拱形轮廓,其中由所述拱形轮廓(B)形成的拱形的顶点(SP)在所述第一膜连接区域(12a)的所述法线方向(N)上、在高于所述第二高度水平(H2)的第三高度水平(H3)处被布置在所述膜复合物(10)的面向所述基底(3)的那一侧(10a)上。

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