[发明专利]用于生产功率半导体模块的方法和功率半导体模块在审
| 申请号: | 202010423273.2 | 申请日: | 2020-05-19 |
| 公开(公告)号: | CN111987005A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
| 发明(设计)人: | 斯特凡·赫克斯霍尔德;斯特凡·厄尔林;迈克尔·尤努策尔;马库斯·迪泽尔 | 申请(专利权)人: | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L25/07;H01L23/485 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 蔡石蒙;车文 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 生产 功率 半导体 模块 方法 | ||
1.用于制造功率半导体模块(1)的方法,包括以下处理步骤:
a)提供功率半导体组件(2),所述功率半导体组件(2)具有:基底(3),所述基底具有不导电绝缘层(4),在所述不导电绝缘层的第一主侧(4a)上布置有第一导体轨道和第二导体轨道(5a、5b);和功率半导体部件(7),所述功率半导体部件被布置在所述基底(3)的所述第二导体轨道(5b)上,并且在所述功率半导体部件的面向所述第二导体轨道(5b)的第一主侧(8a)上具有第一功率端子(9a),并且在所述功率半导体部件的背对所述第二导体轨道(5b)的第二主侧(8b)上具有第二功率端子(9b),其中所述第一功率端子(9a)以导电方式连接到所述第二导体轨道(5b),
b)提供压花膜复合物(10),所述压花膜复合物(10)具有不导电的第一膜(11)和被布置在所述第一膜上的导电的第二结构化膜(12),其中所述第二膜(12)被结构化,使得所述膜具有第一膜连接区域(12a)和与所述第一膜连接区域(12a)分开布置的第二膜连接区域(12b),其中所述压花膜复合物(10)被压花,使得在所述第一膜连接区域(12a)的法线方向(N)上,所述第一膜连接区域(12a)被布置在第一高度水平(H1)处,并且所述第二膜连接区域(12b)被布置在高于所述第一高度水平(H1)的第二高度水平(H2)处,
c)将导电粘合剂(15)布置在所述压花膜复合物(10)的所述第一膜连接区域和所述第二膜连接区域(12a、12b)上,并且/或者布置在所述第一导体轨道(5a)和所述第二功率端子(9b)上,
d)将所述压花膜复合物(10)布置在所述基底(2)上,使得所述粘合剂(15)的第一部分(15a)与所述第一膜连接区域(12a)和所述第一导体轨道(5a)机械接触,并且所述粘合剂(15)的第二部分(15b)与所述第二膜连接区域(12b)和所述第二功率端子(9b)机械接触,
e)使所述粘合剂(15)硬化。
2.根据权利要求1的方法,具有以下处理步骤:
f)用不导电的灌封化合物填充被布置在所述膜复合物(10)与所述功率半导体组件(2)之间的至少一个空腔(22)。
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述压花膜复合物(10)具有导电的第三膜(13),所述第三膜被结构化,以形成膜导体轨道(13a、13b),并且所述第一膜(11)被布置在所述第二膜与所述第三膜(12、13)之间。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述压花膜复合物(10)具有穿过所述第一膜(11)的导电过孔(14),所述导电过孔以导电方式将所述第一膜连接区域和所述第二膜连接区域(12a、12b)连接到所述第三膜(13)。
5.根据权利要求1至2中任一项所述的方法,其特征在于,所述压花膜复合物(10)被压花,使得当执行处理步骤d)时,与所述功率半导体部件(7)的边缘(7’)的周围区域(U)对准的所述压花膜复合物(10)在所述周围区域(U)上方具有拱形轮廓,其中由所述拱形轮廓(B)形成的拱形的顶点(SP)在所述第一膜连接区域(12a)的所述法线方向(N)上、在高于所述第二高度水平(H2)的第三高度水平(H3)处被布置在所述膜复合物(10)的面向所述基底(3)的那一侧(10a)上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛米控电子股份有限公司,未经赛米控电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010423273.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:聚酰胺组合物及其制造方法以及成型品
- 下一篇:蓄电池组件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





