[发明专利]功率MOS器件及工艺方法在审
| 申请号： | 202010213223.1 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113451404A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 曹功勋;仵嘉;张敏 | 申请（专利权）人： | 芯合电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201206 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率MOS器件，在外延层中包含有MOS器件的源区、漏区以及体注入区，外延层表面包含有由栅氧化层和多晶硅栅极组成的栅极结构，体注入区中还包含有重掺杂区用于将体注入区进行接触引出，所述MOS器件的源区中，还包含有氩离子注入形成的缺陷层。氩离子注入形成的缺陷层能降低MOS器件中寄生三极管的发射极的发射效率，进而进一步降低MOS器件寄生三极管开启风险，最终实现MOSFET的UIS能力及器件可靠性进一步提升。本发明还公开了所述MOS器件的工艺方法，仅在源区形成之后增加一步氩离子注入，工艺简单易于实施。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mos 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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