[实用新型]一种提高磁轴承阻尼的轴承座结构有效
| 申请号： | 201922381273.6 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN211501371U | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 周亦骏;林英哲;吴立华;董继勇 | 申请（专利权）人： | 南京磁谷科技有限公司 |
| 主分类号： | F16C35/00 | 分类号： | F16C35/00 |
| 代理公司： | 南京睿之博知识产权代理有限公司 32296 | 代理人： | 杨雷 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种提高磁轴承阻尼的轴承座结构，它涉及磁悬浮轴承技术领域。它包含磁轴承座本体和压圈，所述的磁轴承座本体的内部设置有通孔，所述的通孔的底部设置有凸台，所述的磁轴承座本体的外部上下两侧均设置有空槽，所述的压圈安装在与凸台相反对应的通孔的另外一侧，通过提高磁轴承座的阻尼，降低轴承座的支撑刚度，辅助磁轴承在主动控制的基础上，更加容易实现跨临界转速工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 磁轴 阻尼 轴承 结构 | ||
【主权项】：
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