[实用新型]一种提高磁轴承阻尼的轴承座结构有效
申请号: | 201922381273.6 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN211501371U | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 周亦骏;林英哲;吴立华;董继勇 | 申请(专利权)人: | 南京磁谷科技有限公司 |
主分类号: | F16C35/00 | 分类号: | F16C35/00 |
代理公司: | 南京睿之博知识产权代理有限公司 32296 | 代理人: | 杨雷 |
地址: | 210000 江苏省南京市江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 磁轴 阻尼 轴承 结构 | ||
1.一种提高磁轴承阻尼的轴承座结构,其特征在于:它包含磁轴承座本体(1)和压圈(2),所述的磁轴承座本体(1)的内部设置有通孔(11),所述的通孔(11)的底部设置有凸台,所述的磁轴承座本体(1)的外部上下两侧均设置有空槽(3),所述的压圈(2)安装在与凸台相反对应的通孔(11)的另外一侧。
2.根据权利要求1所述的一种提高磁轴承阻尼的轴承座结构,其特征在于:所述的空槽(3)呈三角形结构,且两侧空槽(3)的位置相对应。
3.根据权利要求1所述的一种提高磁轴承阻尼的轴承座结构,其特征在于:所述的通孔(11)的内径尺寸大于轴向磁轴承的外径尺寸。
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