[实用新型]一种大尺寸芯片4D封装的堆叠结构有效
| 申请号： | 201921853324.4 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN211017055U | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 张军军 | 申请（专利权）人： | 太极半导体（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31 |
| 代理公司： | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 | 代理人： | 于浩江 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种大尺寸芯片4D封装的堆叠结构，包含基板以及由下到上依次堆叠在基板上的第一层芯片、第二层芯片、第三层芯片和第四层芯片；其中一、二、四层芯片采用普通粘片膜DAF，三层芯片采用可流动膜FOW，其中一、二层芯片错开堆叠，二、三层芯片采用wire in DAF技术垂直堆叠，三、四层芯片朝另一边错开堆叠；在芯片尺寸较大的情况下，仍能进行四颗芯片的堆叠封装；在不改变封装尺寸的同时，通过采用新的堆叠结构，有效增加了芯片封装密度从而提高芯片的存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 芯片 封装 堆叠 结构 | ||
【主权项】：
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